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サムスンの半導体開発の旅の重要なマイルストーンと瞬間を記録した歴史的な写真のコラージュです。
新しい技術への
果てしない旅は続きます 新しい技術への
果てしない旅は続きます

新しい技術への
果てしない旅は
続きます

踏み出したその一歩から世界の半導体市場のリーダーになるまで
私たちの足跡は挑戦と革新の生きた歴史となりました。 踏み出したその一歩から世界の半導体市場の
リーダーになるまで私たちの足跡は挑戦と
革新の生きた歴史となりました。 踏み出したその一歩から世界の半導体市場のリーダーになるまで
私たちの足跡は挑戦と革新の生きた歴史となりました。

限界を超えて未来を設計する 2010-Recent

微細工程と高帯域技術の限界を絶えず拡大し、AI、モビリティ、高性能コンピューティングなど、未来産業の中心で変化をリードしてきた私たちは、今また新たな飛躍を準備しています。
  • 業界初、12層36GB HBM3Eの開発
  • 業界初、24Gb GDDR7 DRAM開発
  • 業界初、第9世代V-NAND量産
  • 韓国華城HPC(High Performance Computing)センター開設
  • 半導体の炭素排出に対するライフサイクルアセスメント検証完了
  • サステナブルな水資源管理の国際認証（AWS）最高ランクの認証取得
  • 業界初、12nmクラスDRAM量産
  • 2億画素イメージセンサISOCELL HP2発売
  • 業界初、12nmクラス32Gb DDR5 開発
  • 次世代半導体R&D団地着工
  • 2億画素イメージセンサISOCELL HP3発売
  • 業界初、3nm GAA Foundry量産開始
  • 第8世代236層V-NAND量産
  • 12nm 16Gb DDR5開発
  • 業界初、AIメモリ半導体開発
  • サムスン電子半導体の韓国内外全事業場に対する炭素-水-廃棄物削減認証取得
  • 2億画素イメージセンサISOCELL HP1発売
  • 業界初、14nm DRAM商用化
  • 業界初、LPDDR5Xを開発
  • 次世代車両用高性能メモリ半導体ソリューション量産
  • 米国テイラーに新規ファウンドリライン投資発表
  • 世界最大規模の平沢半導体2ライン稼働
  • 業界初、3nm超微細工程技術開発
  • 華城EUV専用V1ライン本格稼動
  • 業界初、DRAMにEUVプロセス適用
  • 業界初、EUVシステム半導体に3次元積層技術適用
  • 業界初、1TB eUFS量産
  • 業界初、第3世代10ナノクラスDRAM開発
  • 業界初、6,400万画素モバイル用イメージセンサ公開
  • 業界初、第6世代V-NAND SSD量産
  • 業界初、12層 3D-TSVパッケージング技術開発
  • 韓国華城EUVライン着工
  • 中国西安第2メモリライン着工
  • 業界初、第5世代V-NANDの量産開始
  • 業界初、8Gb LPDDR5の開発
  • サムスン電子初の5Gモデム Exynos Modem 5100の開発
  • 自動車ソリューションブランド、Exynos AutoおよびISOCELL Auto発売
  • EUV基盤の7nm LPPの生産開始
  • 韓国平沢で生産開始
  • Foundry事業部発足
  • 第2世代10nm FinFETプロセスの量産開始
  • 業界初、10nm FinFET SoCの量産開始
  • 業界初、10nmクラスDRAMの量産開始
  • 17番目の生産ライン稼動
  • 業界初、14nm FinFETモバイルAPの量産開始
  • 20nmクラスの8Gb mobile DRAM(LPDDR4)の量産開始
  • 中国西安(SCS)で生産開始
  • 業界初、3D Vertical NAND(V-NAND)メモリの量産開始
  • big.LITTLE™アーキテクチャを具現した業界初のモバイルAPであるExynos 5 Octaを紹介
  • 30nmクラスの4Gb mobile DRAM(LPDDR2)の量産開始
  • ブランドアプリケーションプロセッサ、Exynosを発売
  • 業界初、32nm HKMGプロセスの開発
  • 20nmクラスのNANDフラッシュの量産開始

継続的に格差をつくる 2000-2009

前例のないスピードで技術を蓄積し、
グローバル市場で技術優位の足場を築きました。
  • 40nmクラスの2Gb DRAMの量産開始
  • 米国オースティン(SAS)で第2生産ラインの稼動を開始
  • 業界初、16-chip MCPを開発
  • 業界初、32GB SSDを開発
  • 業界初、DDR3 SDRAMを開発
  • 業界初、60nmクラスの8Gb NANDフラッシュを開発
  • フラッシュメモリ市場で最高シェアを達成
  • LCD Driver IC市場で最高シェアを達成
  • 業界初、90nmクラスの2Gb NANDフラッシュを開発
  • 華城の工場着工

技術の中心に立つ 1990-1999

64Mb DRAMを皮切りに、世代ごとに技術革新をリードし、メモリ市場の常識を塗り替えました。
  • 業界初、128Mbフラッシュメモリの輸出開始
  • 米国オースティン(SAS)で生産開始
  • システムLSI事業部発足
  • 業界初、1Gb DRAMを開発
  • 業界初、256Mb DRAMを開発
  • 業界初、200mm製造ラインの稼働開始(5ライン)
  • 世界のメモリ市場で最高シェアを達成
  • 業界初、64Mb DRAMを開発
  • 世界のDRAM市場で最高シェアを達成

歴史の最初の章を刻む 1980-1989

果敢な決断と投資で作り上げた技術的成果で
半導体の歴史の最初の章が完成しました。
  • 4Mb DRAMを開発
  • 1Mb DRAMを開発
  • 韓国器興でライン1号がオープン
  • 256Kb DRAMを開発
  • VLSI事業を開始
  • 64Kb DRAMを開発
  • 器興の工場着工

可能性の種を植える1974-1979

半導体産業の不毛の地からスタートした挑戦。
小さいながらも強い一歩は、その後の世界を変える技術革新の出発点となりました。
  • LED腕時計用ICの量産開始
  • サムスンが韓国半導体を買収