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FinFET (Fin Field Effect Transistor)

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The FinFET (Fin Field Effect Transistor) process is a 3D process adopted to overcome the limitations of conventional planar (2D) structures. The structure looks like a fish’s fin, hence the name ‘Fin’FET. In a transistor, when voltage is applied to a gate, current flows through a channel from a ‘source’ to a ‘drain’. The broader the contact area between the gate and the channel is, the greater the efficiency is. In the FinFET process, a fin-shaped 3D structure is used to increase the contact area, thereby improving semiconductor performance and reducing leakage current. Samsung Electronics has employed the FinFET process technology starting with its 14nm. In October 2016, Samsung became the first in the industry to mass produce 10nm FinFET semiconductors.
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫(FinFET)이라고 부른다. 트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 'Source'에서 'Drain'으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 핀펫 공정 기술을 도입해 성공적으로 양산하고 있으며, 2016년 10월 10nm 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했다.
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫(FinFET)이라고 부른다. 트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 'Source'에서 'Drain'으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 핀펫 공정 기술을 도입해 성공적으로 양산하고 있으며, 2016년 10월 10nm 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했다.
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