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先进封装平台

客制化专属架构

随着被称为“摩尔定律”的半导体工艺技术步入缓步期，诸多挑战和制约迎面而来。

异构集成和先进封装可大幅降低设计、研发和制造成本，
迈向“超越摩尔定律”。
三星不仅与公司内部的内存、晶圆代工、系统LSI等部门密切合作，
还与先进封装协议组织（MDI联盟）合作伙伴紧密合作，
全力支持我们的客户准备设计基础设施、设计芯粒（chiplet）、
多芯片制造、制造中介层、采购基板、直到成品测试，
甚至在需要时采购和集成内存。
只需提出您的想法、架构或设计，
三星将会提供全方位支持。

2.5D I-Cube

I-Cube部署并行水平芯片以防止热量积聚，提高性能。三星的硅通孔（TSV）与后道工序（BEOL）技术为两个或多个芯片协调其独有功能奠定了基础，实现了1+1＞2的效果，为现代器件提供强有力的解决方案。根据中介层类型，I-Cube分为I-CubeS和I-CubeE衍生产品。

I-CubeS
I-CubeE
3D X-Cube

3D IC封装通过垂直堆叠组件，使用更短的互连线长度，进一步提高了性能，实现了超高垂直互连密度和更低的寄生效应，同时节省了大量芯片上的空间。3DIC: X-Cube技术通过3D集成大幅降低大型单片芯片的良率风险，以更低的成本实现高系统性能，同时保持高带宽和低功耗。
三星基于微凸块的3DIC技术实际上是为HBM而开发，并成功用于生产数千万个HBM。这种3D-IC技术可谓经过大规模生产验证且具有成本效益。而正在准备的无凸块混合铜键合通过消除接头间隙，提供了更高的互连密度和热性能。

X-Cube TCB (微凸块)
X-Cube HCB (无凸块)
2D FOPKG

对于移动手机或可穿戴设备等需要低功耗内存集成的应用，三星提供扇出型面板级封装（PLP）和扇出型晶圆级封装（WLP）等两种扇出封装平台。这两种类型与传统封装相比，都具有尺寸、厚度和热性能优势。对比倒装芯片封装，外形尺寸最多降低了40%，通过消除基板，厚度减少了30%，而通过允许更厚的芯片，热性能提高了15%。

FOPLP
FOWLP
全行业合作

三星始终坚持为创新旅程做出贡献。作为推动UCle技术发展成立行业联盟UCle联盟的创始成员之一，
三星将继续合力制定3DIC、内存互连和汽车芯粒标准。