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Close-up of semiconductor seen through a leaf.

超越工艺技术，
迈向可持续未来

超级间隙技术
让世界变得环保

Electrical switch next to an upside-down outlet. The switch is turned on.

我们都在尽我们所能，通过减少使用照明和空调，或断开不使用的电子产品的电源来节约能源。这是因为，节约能源也有助于减少热能产生的碳排放，这是气候变化背后的一个驱动力。这就像三星如何制造低功耗内存芯片来减少数据中心使用的能源消耗。

我们的
White and red lights create a curve. Close-up of the shadow of a spring. Close-up of a semiconductor with blue light surrounding it.
芯片是如何制造的？

How are
White and red lights create a curve.
我们的
Close-up of the shadow of a spring. Close-up of a semiconductor with blue light surrounding it.
芯片是如何制造的？

A grid of squares with a rainbow gradient over it.

从人工智能 (AI) 到第五代移动通信技术 (5G)、物联网 (IoT) 和自动驾驶车辆，芯片正引领第四次工业革命。随着这些芯片中运用的技术更加尖端和复杂，制造芯片的工艺技术也在经历巨大发展。特别是，我们看到设备越来越小，因此芯片被设计得更小以与之匹配，这正是超精细处理技术变得如此重要的原因。

微处理是如何
创造一个新的未来
和可持续的环境？

使用创新的
Multiple green wafers overlapping each other.
Top view of rows of solar panels seen on grass.
X-Cube 进行封装

使用创新的
Multiple green wafers overlapping each other.
X-Cube
Top view of rows of solar panels seen on grass.
进行封装

Close-up of system semiconductor in blue packaged with X-Cube 3D stack packaging technology. Close-up of system semiconductor in blue packaged with X-Cube 3D stack packaging technology.

三星的创新技术不仅能够制造产品，也同样可以保护环境。
我们在系统半导体上使用了立体堆叠封装技术
X-Cube。X-Cube 允许您将多个晶圆垂直堆叠到
单个芯片中，这样就您可以在减小芯片整体尺寸的同时安装大容量存储解决方案。

这使得客户在设计上拥有更大的自由度，并且显著提高了数据处理速度和能源效率，提高了性能并降低了
能源对环境的影响。除 X-Cube，我们继续创新发展，创造
可持续的环境。通过支持一切，从 AI 和 5G 到 IoT 和
自动驾驶车辆，我们正在推动第四次工业革命。

3 纳米 GAA (MBCFET®)
Rows of blue light moving at high speeds.
让我们从二维 (2D) 到三维 (3D)
Close-up of a person's face wearing protective goggles. Close-up of semiconductor with data lines connecting to it.

3 纳米 GAA (MBCFET®)
Rows of blue light moving at high speeds.
让我们从二维 (2D)
Close-up of a person's face wearing protective goggles. Close-up of semiconductor with data lines connecting to it.
到三维 (3D)

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D 结构，
FinFET

芯片由多个晶体管组成，这些晶体管是可以放大电流或用作控制它的开关的电子组件。GAA（全环绕栅极）是一种类型的晶体管。

当向栅极施加电压时，电流从源极流到漏极流过沟道。在平面或 2D 结构中，其主要限制是晶体管的栅极和沟道连接在一侧。如果尝试缩小晶体管的尺寸以制造小巧的低功耗芯片，则源极和漏极之间的距离会变得太近，而栅极则无法工作。降低工作电压也受到限制，例如短通道中的泄漏电流。

为改善这一情况，我们开发了 FinFET，一种带 3D 结构的晶体管。它以鳍的结构形状命名，这就是它也被称为鳍式场效应晶体管的原因。我们的制造想法是这样的：随着栅极和通道连接的一面变宽，它的效率会提升。 FinFET 具有 3D 结构，FinFET 将两者相交的面积增加到三个边，从而提高了芯片性能。但我们发现 FinFET 也有一个限制——在超过 4nm 的过程中，它无法降低工作电压。

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D 结构，
FinFET

芯片由多个晶体管组成，这些晶体管是可以放大电流或用作控制它的开关的电子组件。GAA（全环绕栅极）是一种类型的晶体管。

当向栅极施加电压时，电流从源极流到漏极流过沟道。在平面或 2D 结构中，其主要限制是晶体管的栅极和沟道连接在一侧。如果尝试缩小晶体管的尺寸以制造小巧的低功耗芯片，则源极和漏极之间的距离会变得太近，而栅极则无法工作。降低工作电压也受到限制，例如短通道中的泄漏电流。

为改善这一情况，我们开发了 FinFET，一种带 3D 结构的晶体管。它以鳍的结构形状命名，这就是它也被称为鳍式场效应晶体管的原因。我们的制造想法是这样的：随着栅极和通道连接的一面变宽，它的效率会提升。 FinFET 具有 3D 结构，FinFET 将两者相交的面积增加到三个边，从而提高了芯片性能。但我们发现 FinFET 也有一个限制——在超过 4nm 的过程中，它无法降低工作电压。

我们引进了下一代 3 纳米 GAA，
以进一步降低超细电路的
运行电压

在 3 纳米以下的超精细电路中使用 GAA 晶体管时，栅极环绕通道的全部四个侧面，从而可以更好地控制电流。 正因如此，我们能够实现更高能效。

3D models of Planar FET, FinFET, MBCFET™ (Nanosheet) and GAAFET (Nanowire) transistors.

平面 FET

MBCFET™（纳米片）

FinFET

GAAFET
（纳米线）

通过我们独特的
GAA 技术多桥沟道
FET (MBCFET™)，
您可以获得更高能效

在直径为 1nm 的细导线通道上保持足够的电流是困难而复杂的，因此我们的 MBCFET™ 通过长而薄的纳米表层使此过程更加容易，以提高性能和能效。

对比7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）可减少35%逻辑（芯片面积）空间，节省50%能耗，并得到约30%性能提升效果。

Battery and data center with arrows pointing up, and a semiconductor with arrows point down.

35%
逻辑区域减少

50%
功耗降低

30%
性能提升

第四次工业革命
以降低能耗和
碳排放的技术开始。

Side of glass building seen reflecting the sky. The building is seen between two trees.

为了保护地球，下一代人工智能、大数据、自动驾驶汽车和 IoT 的高性能芯片必须使用低功耗技术。 三星代工厂目前仍在全力以赴突破技术极限，提升低功耗和环保半导体的工艺竞争力。

  • 无晶圆厂芯片制造商向
    我们提出想法，


    然后我们将其变为现实

    Samsung Foundry building seen at an angle.

    三星铸造三星工厂将想法变为现实

    芯片行业大致可分为两类：无晶圆厂和晶圆代工。无晶圆厂是没有制造工厂的公司，而芯片实际上就是在制造工厂中生产出来的。相反，这些公司把重点放在开发想法和设计技术上。另一方面，铸造厂是具有专用于制造芯片的生产设施的公司。

    在三星铸造厂三星工厂，我们处理整个芯片制造过程，包括工艺技术、包装和测试。我们的专长是确保每个领域，包括基础设施、质量、支持和生态系统合作伙伴，像一个管弦乐队，同步工作，以创建优质的芯片。

  • 三星铸造三星工厂，
    第四次工业革命的标志

    Person seen standing at a factory in front of a machine.

    三星铸造三星工厂的超级间隙技术，EUV 工艺

    为了将想法变为现实，无晶圆厂公司需要铸造厂的卓越工艺技术。随着芯片设计技术得到改进，以创建更小但性能更好的设备，还必须发展工艺技术。我们正在通过极紫外光刻(EUV) 技术巩固三星铸造三星工厂在超精细工艺领域的地位。

    通过基于 EUV 的工艺，
    我们能够以环保方式
    生产优质芯片

    通过基于 EUV 的工艺，
    我们能够以环保方式
    生产优质芯片

    Close-up of wafer with intricate circuit patterns.

    制作芯片需要在晶圆（一种用于制造集
    成电路的薄盘）上雕刻极其精细的电路
    图案。直径300毫米或200毫米等小巧晶
    圆上的元器件数量越多，
    芯片性能越强大。

    EUV的波长仅为现有氟化氩（ArF）的十分之一，可以绘制出更精细的图案，不仅能够提高半导体的性能和能耗，还能在绘制相同大小图案时减少操作工序。这不仅提高了芯片的性能，而且还减少了过程中的步骤数——在降低最终产品消耗能量的同时提高生产率。

更多具备 "地球意识 (Earth-conscious)" 的芯片

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