打造绿色环保未来，
永不停歇的三星半导体减碳征程

2019 年 10 月，三星半导体推出 “UFS 3.0 (512GB)”，成为全球存储器半导体制造商中首家获得碳足迹认证的企业。UFS 3.0（512GB）"是首款获得碳信托基金（Carbon Trust）环保生产成果认证的半导体产品。

“UFS 3.0(512GB)”产品采用高性能第五代（9x 层）512Gb（千兆位）V-NAND，与基于原第四代 64 层 256 Gb V-NAND 的 256 GB 产品相比，其容量增加了两倍，数据传输速度提高了 2.1 倍，工作电压降低了 33%，在速度、节电和生产效率方面均拥有出色的表现。第五代 512Gb V-NAND 中应用了单一工艺 (1 Etching Step)，该工艺可使单元堆叠层提高约 1.5 倍，并可一次穿透 90 多个单元层。同时，与原有的第四代 V-NAND 相比，芯片尺寸减少了 25% 以上，更大程度地减少了碳排放量和用水量。

如果新产品比原有产品的二氧化碳排放量少，碳信托公司会颁发减碳认证。 已获得碳足迹认证的“UFS 3.0(512GB)”的后续产品“UFS 3.1(512GB)”致力于在产品开发和生产过程中减少碳排放量，因此成为获得二氧化碳减排标签的存储产品。

“UFS 3.1(512GB)”比原有的“UFS 3.0(512GB)”的二氧化碳排放量更少，“连续写入速度”则快了三倍左右。

除减少二氧化碳排放外，UFS 3.1 (512GB) 的连续读取修改写入 (RMW) 速度提高了三倍 — 可在大约四秒内保存一部 FHD 电影。

作为适用于高级智能手机的高效能移动处理器，该产品更能满足高配置游戏和复杂多任务作业的需求。采用更先进的五纳米工艺和更新型的 CPU/GPU 设计技术，该产品不仅性能出色、实现低功耗的同时，每秒可达最多 26 万亿次的人工智能运算。

该产品正式扩大了智能手机一亿像素图像传感器的市场。HM2 移动图像传感器配备 0.7 微米的像素尺寸，具有 1.08 亿像素。与使用 0.8 微米像素相比，HM2 图像传感器的尺寸最多可以减少 15%，照相机模块高度最多可降低 10%。该图像传感器采用九像素合一的 NonaPixel 结构，不仅可实现超高分辨率，还可以在低照度环境下生成更清晰的图像。

该产品将从广播或互联网接收的数字压缩数据进行解析后制作为视频数据，并在处理画质及声音后将其传送到屏幕或扬声器。 该产品搭载 NPU，基于人工智能来优化 8K 高分辨率和声音，并将之前分离的高分辨率、画质增强 IC 整合为一个芯片，实现低功耗。 画质增强 IC 是将低分辨率的影像转换为高分辨率的半导体，可将 2K 或 4K 影像转换为 8K 影像。

它的作用是将从 DTV SoC 接收的影像数据转换为 DDI(显示驱动 IC) 所需的时间和数据。 该产品不仅采用高端工艺，还将原 8K 电视中使用的两个芯片集成为一个，从而减少电力的消耗。