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NAND闪存的数据存储方式

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存储卡、U盘和SSD等存储设备使用NAND闪存来存储数据。根据数据存储方式，NAND闪存可分为SLC、MLC和TLC。
SLC= 1比特、MLC= 2比特、TLC= 3比特
SLC= 1比特、MLC= 2比特、TLC= 3比特

SLC= 1比特、MLC= 2比特、TLC= 3比特

数字数据的最小单元为“比特（bit）”。SLC在单个单元中将1比特数据存储为0或1。MLC存储2比特数据，如00、01、10或11。TLC每个单元存储3比特数据，存在8种组合。 如果进程相同，每个单元占用的物理空间相同，但单元数据存储容量和应用程序根据数据存储方式而不同。 例如，创建具有64位容量的产品，需要64个SLC（每个单元存储1比特）。同种产品需要32个MLC或22个TLC。 对比MLC或TLC，SLC的数据存储和检索更为简单，因此通常速度更快且错误更少。因此，SLC用于需要长期高可靠性的汽车或飞机的存储设备。 实现高速方面，MLC或TLC比SLC的技术复杂程度更高。然而，优点在于可以用更少的空间制造出相同容量的产品。这意味着每个晶圆（单个芯片）上制造的具有相同容量的芯片的实际数量增加，使得MLC和TLC更具成本竞争优势。SLC、MLC和TLC用于下一代数据中心、企业服务器及计算机等一系列应用当中。而速度、预期使用寿命和保修期取决于所使用的电池类型。
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