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NAND闪存

NAND闪存(NAND Flash Memory) 一种半导体单元串联排列的闪存。 由于NAND闪存是垂直排列单元(即存储单位)的结构,因此可以在狭小的面积上制作很多单元,从而实现大容量存储。根据半导体芯片内部电子电路的形态,闪存分为串联连接的NAND闪存和并联连接的NOR闪存。 NAND闪存易于增加容量,改写速度快,而NOR闪存读取速度快。此外,NAND闪存由于按顺序读取数据,读取速度比NOR闪存慢,但因为无需记住每个单元的地址,所以改写速度会快得多。 因为NAND闪存可以实现小型化和大容量化,它被用作各种移动设备和电子产品的存储设备。
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