进入正文

鳍式场效应晶体管（FinFET）

  • 邮件
鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺是旨在突破传统平面（2D）结构限制的3D工艺。由于结构看起来像鱼鳍，因此被称为“鳍（Fin）式”FET。晶体管中，当电压施加到栅极时，电流通过沟道从“源极”流向“漏极”。栅极与沟道之间的接触面积越宽，效率就越高。鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺采用鳍状3D结构增加接触面积，从而提高了半导体性能并减少电流泄漏。 三星半导体从14nm开始采用鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺技术。2016年10月，三星首次量产10nm鳍式场效应晶体管（FinFET）。
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫(FinFET)이라고 부른다. 트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 'Source'에서 'Drain'으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 핀펫 공정 기술을 도입해 성공적으로 양산하고 있으며, 2016년 10월 10nm 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했다.
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫(FinFET)이라고 부른다. 트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 'Source'에서 'Drain'으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 핀펫 공정 기술을 도입해 성공적으로 양산하고 있으며, 2016년 10월 10nm 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했다.
Related contents
相关内容