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3D V-NAND闪存

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3D V-NAND闪存 （3D垂直NAND闪存） 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺，缩小相邻存储单元之间的间隙。但，这一方式增加了电子泄露干扰。所以，三星半导体开发了一种三维垂直堆叠单层存储单元的创新结构，以克服这一问题。 3D V-NAND闪存突破传统技术的物理限制，通过大幅减少存储单元之间的干扰来改善存储单元的特性。此外，对比2D NAND闪存，其存储速度、寿命与能效都得到大幅提升。
3D V낸드플래시 메모리
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