三星电子举行3纳米芯片晶圆代工量产出厂仪式

三星电子于7月25日在韩国京畿道华城园区V1生产线（EUV专用）为采用了新一代晶体管全环绕栅极（Gate All Around，简称GAA）制程工艺节点的3纳米（nm）芯片晶圆代工产品举行了出厂仪式。 逾百人参与当天活动，其中包括韩国产业通商资源部部长李昌洋、来自合作公司及无晶圆厂的相关人员、三星电子DS部门负责人庆桂显代表理事（社长）及员工。活动更对参与3纳米GAA研发和量产的员工进行慰勉。 _{*大德电子金英宰（音）代表理事、东进世美肯李晙赫（音）代表理事、Soulbrain郑赫硕（音）代表理事， One Semicon金昌贤（音）代表理事、WONIK IPS李贤德（音）代表理事、PSK李庆一（音）代表理事， KCTech高相杰（音）副会长、Telechips李长奎（音）代表理事} 三星电子晶圆代工事业部自信地表示：“我们将凭借创新的技术力量，向世界前列迈进”，展示出三星通过3纳米GAA工艺量产和先进晶圆代工技术加强业务竞争力的雄心。 三星电子晶圆代工事业部技术开发室负责人郑基泰（音）副社长，对技术从开发到量产的整个过程进行了说明。他特别提到，晶圆代工事业部、半导体研究所、全球制造和基建统管等事业部，在此期间进行了跨部门友好协作，成功攻克了技术开发的壁垒。 随后，三星电子DS部门负责人庆桂显代表理事对员工们的工作表示了肯定：“通过此次产品的量产，三星电子在晶圆代工领域画下了重要的一笔”。他强调说：“在鳍式场效应晶体管遭遇技术壁垒的当下，作为新的替代方案的GAA技术，在早期开发中获得成功，这是具里程碑意义的创新性成果。” 韩国产业通商资源部部长李昌洋在贺词中，对三星电子员工和半导体各界人士所付出的努力表示了感谢，他叮嘱称：“我们希望三星电子、系统半导体行业和材料、零部件、设备行业齐心向前，在激烈的精密工艺竞争中保持领先水平”。同时，他还强调：“韩国政府也会根据此前发布的《半导体超级强国战略》文件，全力支持民间投资、人才培养、技术开发和材料、零部件、设备生态系统构建等方面。” 自2000年初起，三星电子就已经开始了对GAA晶体管结构的研究。自2017年开始，将其正式应用到3纳米工艺，并于今年6月宣布启动利用GAA技术的3纳米工艺的量产。 三星电子首次在高性能计算(HPC)领域中应用了3纳米GAA工艺，同时也正与主要客户积极合作，努力将该工艺应用到移动SoC等更多的产品群中。 参加活动的韩国半导体设备企业WONIK IPS李贤德代表理事表示：“在和三星电子共同为3纳米GAA晶圆代工工艺量产做准备的过程中，WONIK IPS员工的能力也得到了进一步提升”，“今后将继续和三星电子携手，为韩国半导体设备产业的发展倾尽全力。” 此外，韩国无晶圆厂企业Telechips李长奎代表理事则表示：“Telechips十分期待在未来利用三星电子的高精度工艺，进行产品设计”，“三星电子向韩国无晶圆厂积极提供高精度晶圆代工工艺，同时还制定了多种扶持政策，来帮助无晶圆厂扩大产品设计范围。” 三星电子在华城园区首先开启3纳米GAA晶圆代工工艺产品的量产，未来将扩大到平泽园区。