三星电子在 2022年三星技术日活动上宣布将通过强化行业协作实现存储器和逻辑半导体业务的高速增长

美国加利福尼亚州圣何塞 — 2022 年 10 月 5 日 — 在10月5日的2022 年三星技术日活动上，全球化半导体企业三星电子株式会社展示了多项将在未来十年推动数字化转型的半导体解决方案。每年一届的三星技术日活动于 2017 年开始举办，今年的活动在圣何塞希尔顿西嘉酒店举行，这是三年来的首次线下活动。 今年有超过 800 家客户和合作伙伴出席了活动，三星存储器和S. LSI 业务部的领导发表了演讲，总裁兼存储器业务部负责人 Jung-bae Lee、总裁兼S.LSI 业务部负责人 Yong-In Park 以及执行副总裁兼设备解决方案 (DS) 美洲办事处负责人 Jaeheon Jeong，他们也都分别介绍了公司的新发展，和有关未来的愿景。 S．LSI 业务亮点 在上午的技术日活动中，S．LSI 业务部重点介绍了通过协同其独特、广泛的产品阵容，打造“无晶圆厂全包解决方案”的目标。S．LSI 业务部是三星电子的无晶圆厂 IC 设计部门，目前提供大约 900 种产品，包括片上系统 (SoC)、图像传感器、调制解调器、显示驱动集成电路 (DDI)、电源管理集成电路 (PMIC) 以及安全解决方案。 S．LSI 业务部不仅能够制造单个产品，同时还可提供全方位解决方案，通过将各种不同的逻辑技术集成到一个平台中，为客户提供合适的解决方案。 三星电子总裁兼S.LSI 业务部负责人 Yong-In Park 说：“当今时代，机器需要能够像人一样学习和思考，作为指挥大脑、心脏、神经系统和眼睛的逻辑芯片，其重要性也上升到前所未有的高度。三星将归集整合各种产品中包含的技术，例如 SoC、传感器、DDI 和调制解调器，以作为一家整体解决方案提供商携手各大IT企业迈向第四次工业革命。” 展望如同人类一样强大的芯片 第四次工业革命是S．LSI 业务部在技术日活动上的一个关键主题。对于超级智能、超级联网、超级数据等第四次工业革命的关键领域，S．LSI 业务部的逻辑芯片是创造这些可能性的基础。三星电子的目标是增强这些芯片的性能，使其尽可能达到能够与人一样完成人类任务的高度。 心怀这一愿景，S．LSI 业务部聚焦于通过与全球行业领先企业携手合作，提高嵌入式神经网络处理器 (NPU) 和调制解调器等关键 IP 的性能，以及实现中央处理器 (CPU) 和图形处理器 (GPU) 等技术的创新。 S．LSI 业务部还将继续开展超高分辨率图像传感器的开发，让芯片能够像人眼一样捕获图像，此外还计划开发具有所有人类五官功能的传感器。 新一代逻辑芯片亮相展示 三星电子的多项先进逻辑芯片技术也在技术日活动展厅揭幕，这包括 5G Exynos Modem 5300、Exynos Auto V920 和 QD OLED DDI，这些产品都是移动、家用电器和汽车等多个行业必要组件。 此外还展示了今年新投产（或公布）的芯片，包括高端移动处理器 Exynos 2200，以及三星产品中较新的 0.56 微米(μm)2亿像素图像传感器 ISOCELL HP3。Exynos 2200 采用先进的 4 纳米 (nm) 极紫外光刻 (EUV) 工艺，并结合移动、GPU 和 NPU 技术，为智能手机用户提供更加细致的体验。ISOCELL HP3 的像素大小比上一代 0.64 微米产品减少 12%，可将相机模组表面积减少大约 20%，从而让智能手机制造商能够为高端设备设计纤薄的外形。 三星通过向技术日活动的参与者展示用 2 亿像素传感器相机拍摄的照片画质，从而展示了 ISOCELL HP3 的实际应用。此外，还演示了S.LSI 指纹安全 IC 在生物支付卡中的应用，这种技术将指纹传感器、安全元件 (SE) 和安全处理器相结合，为支付卡提供额外的身份验证和安全性。

存储器业务亮点 三星在动态随机存储器 DRAM 和闪存NAND领域的市场份额方面分别保持了 30 年和 20 年的优势地位，今年发布了第五代 10 纳米级 (1b) DRAM 以及第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND) 产品，再次兑现了公司将在未来十年持续提供存储器技术组合的承诺。 三星还强调，针对行业面临的新挑战，公司将通过协作来提高业务韧性。 “从 40 多年前开始到现在，三星共制造了万亿千兆字节的存储器。其中大约一半是在过去三年制造的，这从侧面很好地说明了数字化转型的步伐有多快”，三星电子总裁兼存储器业务部负责人 Jung-bae Lee 指出。“存储器带宽、容量和能效的进步让新的平台成为可能，而这反过来又促进了半导体的创新，我们将进一步促进更高水平的整合，推动数字共同进化之路。” 优化数据智能的 DRAM 解决方案 三星的 1b DRAM 目前处于开发阶段，计划 2023 年实现量产。为克服 DRAM 突破 10 纳米节点所面临的挑战，公司一直在研发颠覆性的模式、材料和架构解决方案，高介电质材料等技术的研发进展十分顺利。 公司还特别展示了即将发布的 DRAM 解决方案，例如 32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和 36Gbps GDDR7 DRAM，这将为数据中心、高性能计算、移动设备、游戏和车载市场等领域带来新的机会。 在常规 DRAM 之外，三星还特别强调定制 DRAM 解决方案的重要性，例如 HBM-PIM、AXDIMM 和 CXL，这些产品可能促进系统级别的创新，更好地应对全球数据的爆炸式增长。 V-NAND 层数到 2030 年超过 1,000 从十年前面世以来，三星的 V-NAND 技术已经发展了八代，层数增加了 10 倍，容量增长了 15 倍。三星新发布的 512Gb 第八代 V-NAND 的容量密度提高了 42%，继续走在行业 512Gb 三层单元 (TLC) 存储器的容量密度的前列。而在年底，三星最新的 1Tb TLC V-NAND 也将上市。 公司还提到正在研发第九代 V-NAND，计划在 2024 年量产。到 2030 年，三星设想可以堆叠超过 1,000 层，从而更好地支持未来的数据密集型技术。 AI 和大数据应用促进了对更高速度和更大容量存储器的需求，三星将加速向四层单元 (QLC) 技术转型，进一步提高容量密度，同时增强能效，以支持全球客户更可持续地运营业务。 加强行业协作，创造更强大解决方案 三星介绍了一个广泛的存储器解决方案组合，涵盖从数据中心、企业级服务器，到移动设备、客户端、消费级和车载应用等市场。公司特别展示了专为 AI 优化的高性能低功耗计算型存储，以及它将给生态环保意识计算带来的贡献。三星还展示了 PM9C1a 这款新型无 DRAM SSD，它同时支持 PCIe 4.0 和 5.0。 然后三星介绍了在智能移动解决方案领域推动行业发展的宏伟计划。公司介绍了专为各个现代车载功能设计的应用广泛的存储器产品，包括车载信息娱乐系统 (IVI)、自动驾驶 (AD) 以及先进驾驶辅助系统 (ADAS)、远程信息处理集群和网关等。从 2015 年进入车用存储器市场以来，三星的影响力快速提升，计划到 2025 年成为最大的车用存储器提供商。 三星强调其进一步扩大生态系统合作的计划，再次确认增强客户价值的最终目标以及以客户为中心的发展理念。为促进更广泛的开放创新，三星公布了加强客户协作的蓝图的关键要件。公司将开放一个三星存储器研究中心 (SMRC)，让客户和合作伙伴能够在各种服务器环境中测试和验证三星存储器以及软件解决方案。从今年第四季度在韩国开放首个 SMRC 开始，三星计划与 Red Hat（红帽） 和 Google Cloud（谷歌云） 等生态系统合作伙伴携手，未来在美国和全球开放更多的研究中心。

_{*本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考，三星有可能对上述内容进行改进，具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星半导体官网(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非经特殊说明，本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。}

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