[2023存储技术日] 重新思考AI时代存储层次结构

三星半导体以创新接力未来，积极做好迎接人工智能和大数据时代的准备。通过为客户提供拥有更大容量、更低功耗、极致性能和组件质量等关键要素，降低客户总拥有成本（TCO）。 2023年10月举行的“三星半导体存储技术日”上发表了一系列探讨三星半导体如何重新审视和重塑存储赛道格局的相关演讲。 三星半导体NAND产品企划团队的Jay Hyun副总裁第一个上台发表演讲，阐述了将更多数据处理任务转移到计算系统的“边缘”，籍以减少随机读写频率和向CPU和GPU传输的数据量。结合边缘计算，我们可以在缓存内存中存储和处理更多数据，而这意味着可以减轻数据库的访问压力。更高的带宽速度和内存缓存能够降低延迟，并提供更加稳定的服务质量（QoS）水平。当前的V-NAND解决方案在更高的IO（输入/输出）速度下，提供了更高的容量和比特密度。这一技术籍由在芯片上启用更多位堆叠，从三层单元（TLC）V-NAND扩展到四层单元（QLC）。预计，接下来每一代的新芯片的速度和密度都将提高1.5至1.6倍（业界先进水平）。随着技术的落实，三星半导体将大幅提高带宽，减少延迟，并为客户提供稳定的QoS保障。 Leno Park三星半导体副总裁表示将进一步推进扩展改进存储产品的愿景。Leno预测QLC NAND技术应用于移动设备、客户端PC SSD应用程序和企业级数据中心存储SSD设备上的比例将进一步提高。最新QLC NAND设备将为这些设备的内存提供更大密度。而这允许更多的数据保存在数据处理层附近。这一点至关重要，因为人工智能的发展需要在存储器和处理器之间搬运更多数据。随着QLC NAND的应用比例提升和成本进一步降低，QLC技术具备推动SSD和闪存等NAND技术产品发展的潜力。 Jiho Cho三星半导体闪存设计团队副总裁解释了提高SSD比特密度的必要性。QLC NAND与市场上现有的其他NAND技术集成将允许设备存储更多数据，降低每比特成本，并改进NAND技术。Cho副总裁和Park副总裁一致认为，将NAND技术集成到一个“生态系统（Eco NAND）”，可以为闪存和SSD提供更大存储容量。这将凸显SLC、TLC和QLC组合在移动设备、客户端PC SSD及企业级数据中心SSD市场中的优势。这种效率提升在存储性能并非关键因素的当下HDD市场中具备更多潜力。这种方式非常适合进行数据备份和长尾多媒体内容及数据的存储。 Sarah Peach三星半导体美洲法人产品管理团队高级总监概述了公司为降低未来SSD产品TCO的努力。PCle Gen6、QLC NAND等新技术对于通过降低TCO，成功占据市场主导地位至关重要。SSD的比特密度决定降低TCO的公式。比特密度越高，SSD占用空间越小，数据中心存储机架数量要求越少，进而降低了数据中心需要的空间。空间需求降低，也减少了资本支出。密度增加还意味着SSD搬运数据所需的操作更少，功耗更低。此外，需要维护的系统减少，也降低了数据中心的开销。这将有助于降低运营成本，并最终获得降低TCO的结果。 三星半导体通过提供各种存储解决方案，为客户迎接当前和未来趋势保驾护航。 _{*本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考，三星有可能对上述内容进行改进，具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星半导体官网(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非经特殊说明，本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。}