预览三星的下一代内存解决方案

三星于 2019 年度技术日活动 (Tech Day) 上推出下一代内存技术和解决方案，助力新的商业可能性。 2019 年 10 月 23 日，三星在加利福尼亚州圣何塞举办的 2019 年度技术日活动中展示了一系列新技术解决方案。创新产品组合中包括大量新的内存解决方案，可确保进入下一个技术时代时，业界拥有理想的内存。 在三星的第三个年度科技日活动中，硅谷代表、合作者和专家齐聚一堂，举办主题演讲、小组讨论和展馆演示，展示家庭自动化、数据中心、移动/5G 和汽车技术等领域的发展前景。提出的内存解决方案包括三星的第三代 10 纳米级动态随机存取存储器 (DRAM)、功能强大的第七代垂直与非 (NAND) 闪存和第五代高速串行计算机扩展总线标准 (PCIe Gen5) 固态硬盘 (SSD)。 随机存取存储器 (RAM) 新标准 在技术日活动中，三星宣布开始大规模生产其第三代10 纳米级 (1z) DRAM 解决方案。DRAM 的意思是“动态”RAM，“动态”表示存储单元每隔几毫秒刷新一次，因此能够快速适应需要在给定时间内执行的任何任务 三星的 1z DRAM 解决方案提供优质的能效和容量，使其成为真正全面的软件包。2016 年，DRAM 带宽的标准是在中央处理器中拥有最多 20 个内核和 4 个内存通道，到了 2019 年，三星现已将该数字增加到最多 64 个内核和 8 个内存通道。此外，三星的 1z DRAM 为生产双倍速率同步动态随机存储器 DDR5、低功耗双倍速率同步动态随机存储器 LPDDR5、高带宽内存 HBM2E 和图形用双倍数据传输率存储器 GDDR6 等尖端内存解决方案奠定了基础，最早将于 2020 年初开始生产。 DDR5 解决方案将允许按容量提高电源效率，并将针对大数据应用进行优化，而 LPDDR5 将通过降低功耗和提升设备内置人工智能和电池时间来创造新的移动体验。三星的 GDDR6 将允许实时、逼真的图形渲染，而三星的 HBM2E 解决方案将允许以单机进行强大的超级计算，同时显著缩短人工智能培训时间。 闪存中的下一个划时代事件 垂直 NAND (V-NAND) 是一种闪存类型，其单元垂直堆叠，以提供更大的容量、更快的速度和更低的功耗。三星的第七代 V-NAND （也于 2019 年度科技日活动中提出）具有近 200 (1yy) 单元层，适用于移动应用和其他高级内存应用。 三星最新推出的是 V6 V-NAND 解决方案，V7、V8、V9 和 Vxx 型解决方案也将在未来开发。每个后续型号将具有更大的额外（备用块）容量，以帮助重新映射。三星对 V-NAND 的愿景包括修改主机堆栈以适应 WAF（写入放大因子）减少的顺序写入、实现 ZNS（分区命名空间）以及开发面向容量的读取密集型应用程序。 未来固态硬盘的基础 除了改善数据中心和服务器的存储，第 7 代 V-NAND 还有望为三星的下一代 SSD 奠定基础。预计到 2023 年，SAS（串行小型计算机系统接口）SSD 的采用（旨在容纳与硬盘驱动器相同的插槽）将增长近四倍。 三星 SAS SSD 解决方案提供出色的可靠性（错误处理）、可用性（双端口）和可维修性（热插拔），但产品在性能和延迟方面仍有改进的可能。三星的 NVMe（非易失性内存）SSD 解决方案（可加快企业和客户端系统之间的数据传输速率）在性能、延迟和可用性方面非常强大。 SSD 多样性：外形因素和四级单元 (QLC) 在技术日活动中，三星还分享了针对一系列新 SSD 外形规格的技术解决方案。“外形规格”是指 SSD 的尺寸和物理配置，单个产品的外形规格决定适合哪些系统。三星目前的外形规格包括 M.2、2.5"、半高半长 (HHHL) 和 NF1，公司计划提供 E1.S、E1.L 和 E3 外形规格。 三星的 SSD 产品还得益于其 QLC（四级单元）SSD。QLC 格式允许每个单元存储 4 位组，理论上，每个单元的存储量比三层单元 SSD 多 33%。 QLC 解决方案非常适合面向容量的读取密集型应用，可提供更低的占用空间和更理想的总拥有成本，并且提供生态系统，从而促进向太字节 SSD 的过渡。 随着世界进入技术便利和创新的新阶段，设备将需要优质的内存解决方案。凭借三星在 2019 年度科技日活动中预先披露的 DRAM、V-NAND 和 SSD 解决方案，业界可以确信，三星正在为未来激动人心的创新奠定稳固的内存基础。