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三星 HBM2E Flashbolt 如何为未来技术奠定基础

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三星 高带宽存储器2E Flashbolt 正面和背面。
三星 高带宽存储器2E Flashbolt 正面和背面。
内存和数据存储行业最近发生了重大变化,过去 10 年,该行业的变化比之前 25 年更大。随着内存行业不断创新,以跟上人工智能 (AI) 等改变游戏规则的创新技术,该行业预计也将会发生更剧烈的变化。 在不断变化的市场环境中,三星的 HBM2E Flashbolt 是先进的内存包产品,提供卓越的带宽功能和下一级能效,所有这些都采用紧凑、易于使用的格式。三星的优质高带宽内存解决方案已经被多个开创性的制造商和机构所采用,为构建未来令人难以置信的技术创新奠定了基础 了解 HBM HBM 的意思是“高带宽内存”,这是用于 3D 堆叠 SDRAM(同步动态随机存取内存)的高性能接口。与其他动态随机存取存储器 (DRAM) 解决方案相比,它以较小的外形可提供更快的数据传输速率,功耗更低,总线范围更广。对于高性能计算应用、计划利用 AI 的行业、显卡供应商和高级网络应用程序,HBM 提供数据速度提升,这对于推动行业向前发展十分重要。 三星在退出 HBM 内存解决方案的同时还引入了 HBM2 和 HBM2E,允许每个堆栈使用更多的 DRAM 晶片,从而全面增加容量。例如,在该公司的第二代 HBM2 Aquabolt 产品中,三星 HBM2E Flashbolt 提供 1.3 倍带宽,且每针数据传输速度比上一代 HBM2 解决方案快 33%。 紧凑包装中的下一级速度和容量 HBM2E Flashbolt 是一款第三代 16GB HBM2E 产品。它提供更高级别的规格,通过垂直堆叠八层 10 纳米 (nm) 级 16 千兆比特 (Gb) DRAM 晶片,能够提供高达 410 千兆比特/秒 (GB/s) 的卓越内存带宽级别和每引脚 3.2 GB/s 的数据传输速度。为具体说明 HBM2E Flashbolt 的速度,该解决方案可以实现以每秒 3.2 千兆位每秒的传输速度传输 82 部全高清电影(410 GB 数据)。 如此之快的速度意味着 HBM2E Flashbolt 处于理想的位置,可以最大限度地发挥下一级图形系统向前发展的能力。此外,HBM2E Flashbolt 的容量是其前身 HBM2 Aquabolt 的两倍,其采用紧凑、节能的格式,非常适合空间有限的设计。 在整个行业掀起波澜 HBM 能够为下一代客户系统提供高容量、快速度和优质解决方案因此受到客户的欢迎。英伟达(Nvidia)选择将 HBM2 用于其 Tesla P100 加速器,为数据中心供电,而 AMD 则将其用于 Radeon Instinct 加速器和高端显卡。英特尔已将该技术用于移动个人计算机的高性能图形解决方案,而兰巴斯(Rambus)和西北逻辑公司(Northwest Logic) 在其内存控制器和高性能网络芯片中采用了 HMB2 技术。许多其他公司也将 HBM2 存储运用于其网络系统中。 为未来奠定基础 与 HBM 当前应用一样令人兴奋的是,AI 这种未来技术真正改变了游戏规则。AI 已成为从生产更高级的内存解决方案中获益的主要市场之一,研究表明,随着处理速度加快和系统包含的内存量增加,深度学习的范围可以显著增强。 此外,三星面向服务器的高带宽内存接口和 DRAM 解决方案可提高数据处理和分析速度,从而支持计算机视觉、自然语言处理和许多其他功能。 与 AI 领域密切相关的是“大数据”。随着全球生成的数据量继续以惊人的速度增长,对于持续分析和使用这些宝贵信息而言,先进的内存解决方案和精密的 AI 系统将证明是至关重要的。三星 HBM2E Flashbolt 等解决方案也将为下一代超级计算机提供支持,提供随着计算机不断变得智能和强大所需的速度和容量。同样,由于高性能计算 (HPC) 部门负责实时提供高质量实时流直播等功能,优质内存对于提供解决方案满足日益苛刻的工作负载所需的能力至关重要。 三星电子株式会社简介 三星电子以变革性的想法和技术激发世界,创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯,请登录三星电子新闻中心 http://news.samsung.com..

* HBM -  高带宽存储器
* DRAM -  动态随机存储器

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