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[2022年技术周]乘NAND闪存技术之风 拓展存储解决方案

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三星在 2013 年开发并生产 V-NAND以来,带动了存储器行业的变革,快速确立其市场地位,并以开发高效能 TLC(3层存储单元)SSD而闻名。 在首次推出 V-NAND 产品 10 年之后,三星现在推出第八代 V-NAND (V8)。在此期间,得益于定义三星 V-NAND 产品的四大核心价值,NAND 闪存取得了长足的发展。首先是比特的增加,这对于需要更大生产率的人工智能 (AI)、自动驾驶、5G 和云服务等领域都至关重要。其次是性能,这关系到我们在日常生活中使用设备,频率越高,对高速性能的追求也将越高。 第三个价值在于功耗,第四个价值是质量,这一点尤其重要,因为产品的质量越高,在质量保证方面可以节省的时间和精力也越多。这些价值直接与总体拥有成本 (TCO) 相关,并直接影响 NAND 闪存的增长。 如今,V-NAND 的堆栈厚度与三星开始进军该市场时相比增加了 10 倍,从 24 层增加到 236 层,比特密度(bit density)也提高了 15 倍。近年来,从 V2 TLC 开始,V-NAND 的速度提高了近一倍,I/O 速度也提高了三倍。为满足不断增长的市场需求,1Tb(1万亿字节) 和 512Gb V8 V-NAND 版本也已经面世。目前,三星正准备开始 1Tb TLC 量产,并在年底向客户开放。
The yearly increase in bit growth and high-performance trend graph of Samsung Electronics V-NAND
The yearly increase in bit growth and high-performance trend graph of Samsung Electronics V-NAND
通过 TLC 实现价值与性能的双结合 行业已正式迈入“外设单元”(COP,cell over peripheral) 时代,这是高密度产品发展的关键时刻。整个外设阵列都需要与底层单元阵列相互契合,由于 512 个单元阵列比外设阵列的收缩速度更快,因此这一点很难实现。但三星成功克服了这些挑战,开发出比特密度处于行业高水平的 512 TLC 解决方案,比特密度相比上代产品提高了42%。 三星实现这一成果的目标不仅是为了提供行业高水平的比特密度,同时也是要提供具有先进性能的产品。三星 V8 解决方案实现了高达 2.4Gbps 的I/O 速度,与 V7 相比提高了 20%。随着数据中心越来越依赖 AI 和机器学习等技术,这些高速接口的重要性也在不断提升。
每一代新NAND都不可避免会消耗更多的能源。随着能效在行业的重要性与日俱增,三星努力通过 V8的技术改进来解决这一问题。与上一代产品相比,三星成功将读/写功耗降低了约 14%,并立志继续开发行业先进的低功耗产品。V9 V-NAND将意味着通过更先进的多孔方案,大幅提高比特密度,降低功耗需求,保持先进的 I/O 速度。 通过 QLC 开拓新市场 随着 TLC 的增长速度渐渐放缓,三星一直在努力向 QLC(四层存储单元)技术转型。努力的成果将会重新定义 QLC 的性能限制。V7 QLC 的读取速度相比 V5 提高了 2.1 倍,而三星 TLC 缓存技术的推出,将 TLC 写入速度减少了 10%。三星正将这些奇妙的进步应用到 V9 QLC 的开发中,这有可能将比特密度提高80%以上。V9 QLC 将成为一种更高速的接口,I/O 速度显著提高至到 2.4Gbps。此外,这将为具有与TLC类似性能的新市场打开大门,帮助促进NAND的总体增长。
Samsung Electronics V-NAND QLC bit density, read throughput, IO speed improvement trend graph
Samsung Electronics V-NAND QLC bit density, read throughput, IO speed improvement trend graph
三星计划在 2024 年开始量产 V9 QLC,同时也将继续满足 QLC 和 TLC产品的市场需求。这将有助于协助客户在遇到各种各样的挑战时,依然能找到合适的解决方案。 解锁超越千层堆栈的未来 随着 V-NAND 的发展,其比特密度也在持续增长。不过,除非行业找到可行的途径,使堆栈层数可以达到 1,000 层以上,否则这种增长将难以为继。凭借数十年积累的专业,三星有望在 2030 年实现 1,000 层堆栈的技术目标。三星拥有行业先进的蚀刻技术,并且将与合作伙伴紧密合作,不断加强技术水平以解决堆栈方面的挑战。 三星还将采取措施优化堆栈,提高单元性能。这些措施包括降低堆栈高度,以解决随着厚度增加而产生的模具倾斜(mold leaning)的相关问题。它还涉及开发新的技术来防止单元电流减少,并解决因单元模具变薄导致的单元间干扰问题。此外,三星一直在制定基于其 1,000 层技术的 PCIe I/O 速度路线图,探索提高功率优化率并同时降低功耗的新途径。
Performance Roadmap
IO Speed
Samsung Electronics V-NAND input-output speed roadmap
Samsung Electronics V-NAND input-output speed roadmap
Write power
Samsung Electronics V-NAND write power improvement trend graph by generation
Samsung Electronics V-NAND write power improvement trend graph by generation
提高产品完整性 质量管理始终是成功的关键。在前 V-NAND 时代,关注的重点主要集中于单元阵列管理;在 V-NAND 时代,目标在于使用高纵横比触点 (HARC,highest-quality cell array) 工艺创造具有行业先进质量的单元阵列。现在,随着我们迈入COP时代,外设阵列的质量管理(quality management of peripheral arrays)也变得同样重要。在此领域,三星整合了自身晶圆代工、逻辑芯片、DRAM 和 NAND存储器等能力,优势十分明显。凭借在晶圆代工和逻辑芯片领域的技术优势,三星矢志不断攀登外设阵列管理的新高度。 三星已经收集了数据中心、企业级 SSD、移动、车载和其他应用的大量数据,并使用这些数据来构建先进的数据科学检查技术,涵盖从质量控制到基于深度学习的检测和特征优化等各个领域。借助这些技术,三星多个产品的缺陷率改进了 80%。直接掌控数据,使三星得以持续增强其 NAND 解决方案的质量,最终达到业内高质量水平的目标。 三星已准备好迎接NAND创新的新时代到来。同时三星愿意积极地倾听客户的意见,了解客户的需求,并提供相应的解决方案来支持客户的成功。这样做不仅有利于客户业务的成长,促进客户技术的发展,同时也将确保客户能够做好应对未来趋势的准备。 * 本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考,三星有可能对上述内容进行改进,具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星半导体官网(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非经特殊说明,本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果,涉及的对比均为与三星产品相比较。