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在毫米级晶圆上,绘制纳米级图案(三)

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三星电子晶圆代工事业部在国际互连技术大会(IITC, International Interconnect Technology Conference)上发表了一篇主题为“EUV Minimum Pitch Single Patterning(EUV单图案最小节距)”的论文。我们为此特别准备了这篇博文,希望将论文内容和EUV(极紫光外刻)技术的特点分享给更多人。