三星推动高性能计算系统的发展：第三代 (16GB) HBM2E 显存问世

韩国首尔 2020 年 2 月 4 日 三星电子有限公司于今天宣布推出“HBM2E Flashbolt”，即其第三代高带宽内存 2E (HBM2E)。新的 16GB（千兆字节）HBM2E 特别适合于进一步优化高性能计算 (HPC) 系统，并帮助系统制造商及时改进他们的超级计算机、人工智能驱动的数据分析和先进的图像系统。 三星电子负责内存销售和市场营销的执行副总裁崔鐵 (Cheol Choi) 表示:“随着今天性能最好的 DRAM 被引入，我们作为领先的创新者，正在采取关键的一步，以提升我们在快速增长的高端内存市场中扮演的角色。三星将继续履行其承诺，带来真正的差异化解决方案，强化我们在全球内存市场的优势。” 新产品 HBM2E Flashbolt 将带来两倍于前一代 8GB HBM2“Aquabolt”的容量，它的性能和功率效率将大幅提高，以显著改善下一代计算系统。16GB 的容量是通过将八层 10 纳米 (nm) 级的 (1y) 16GB DRAM 芯片垂直堆叠在缓冲芯片上实现的。这样，这个 HBM2E 封装以超过 40000 个“硅通孔”(TSV) 微凸点的精确布局进行互连，每个 16Gb 芯片包含超过 5600 个这样的微孔。 三星的 HBM2E Flashbolt 提供了 3.2 千兆字节每秒 (Gbps) 的高可靠数据传输速度，它利用了专用的信号传输优化电路设计，同时提供了每个堆栈 410GB/s 的内存带宽。三星的 HBM2E 还可以达到 4.2Gbps 的传输速度，这是迄今为止测试的最大数据速率，在未来的应用中将使每个堆栈都可以达到 538GB/s 的带宽。这将比 HBM2 Aquabolt 的 307GB/s 提高 1.75 倍。 三星预计将在今年上半年开始投入量产。该公司将继续提供其第二代 HBM2 Aquabolt 产品线，同时扩大其第三代 HBM2E Flashbolt 产品的供应，并将进一步在下一代系统方面加强与系统生态系统合作伙伴的合作，加速整个高端内存市场向 HBM 解决方案的过渡。 三星电子株式会社简介 三星电子以变革性的想法和技术激发世界，创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯，请登录三星电子新闻中心 http://news.samsung.com.