三星成功完成 5 纳米 EUV 开发以支持更好的外形可扩展性和超低功耗

引领全球先进半导体技术的三星电子今天宣布，该公司 5 纳米 (nm) 鳍式场效应晶体管工艺技术已完成开发，现在可向客户提供样品。通过为该公司极端远紫外 (EUV) 工艺技术组合增加新的先进节点，三星再次证明了它在先进晶圆代工市场的领先地位。 与 7 纳米工艺相比，三星 5 纳米鳍式场效应晶体管工艺技术实现了多项工艺改进，采用更创新的标准单元架构，逻辑面积效率提升了 25%，同时可将耗电量降低 20%或将性能提升 10%。 除从 7 纳米工艺到 5 纳米工艺实现的功耗性能面积 (PPA) 改进外，客户还可全面利用三星先进的 EUV 技术。与前代工艺类似，5 纳米工艺在金属层成像中使用极端远紫外光刻技术，不仅减少了掩膜层的数量，同时也提高了保真度。 5 纳米工艺的另一个优势是我们可以在 5 纳米工艺中使用所有的 7 纳米知识产权 (IP)。因此，7 纳米工艺客户过渡到 5 纳米工艺后，将极大地受益于更低的迁移成本、预先验证的生态系统以及更短的 5 纳米产品研发周期。 通过 Samsung Foundry 与其 Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE™) 合作伙伴的紧密合作，三星 5 纳米工艺稳健的设计基础设施已在 2018 年第四季度建成，这包括工艺设计包 (PDK)、设计方法学 (DM)、电子设计自动化 (EDA) 工具和 IP。此外，Samsung Foundry 已经开始向客户提供 5 纳米多项目晶圆 (MPW) 服务。 三星电子晶圆代工业务执行副总裁 Charlie Bae 表示：“通过成功完成 5 纳米工艺开发，我们证明了在 EUV 节点方面的能力。为了确保下一代产品的差异化，客户对先进工艺技术的需求暴增，为此我们将继续坚持有关加速 EUV 技术量产的承诺。” 2018 年 10 月，三星宣布该公司首个使用 EUV 光刻技术的工艺节点（7 纳米工艺）准备就绪并实现首次生产。该公司提供了首款基于 EUV 的新产品的商用样品，并在今年初开始 7 纳米工艺的量产。 此外，三星正在与 6 纳米工艺（基于 EUV 的定制工艺节点）的客户合作，并且该公司首款 6 纳米芯片产品已经流片。 Bae 先生继续指出：“考虑到 PPA 和 IP 等多方面的优势，三星基于 EUV 的先进节点预计将在许多新的创新应用领域受到热捧，例如 5G、人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC) 和汽车。凭借我们稳健的技术优势，包括我们在 EUV 光刻领域的领先地位，三星将继续为客户提供先进的技术和解决方案。” Samsung Foundry 基于 EUV 的工艺技术目前在韩国华城的 S3 生产线上生产。此外，三星将在华城新建一条 EUV 生产线以扩大其 EUV 产能，该项目预计将在 2019 年下半年完成，并在明年开始生产升级。