三星正着手生产具有业内高容量的固态硬盘

三星电子作为先进存储技术的出色企业，今天宣布已开始大规模生产业内高容量的串行连接 SCSI (SAS) 固态硬盘 (SSD)——PM1643，用于新一代企业存储系统。凭借三星新的 V-NAND 技术和 64 层 3 位 512 GB 芯片，30.72 TB 磁盘驱动器的容量和性能比 2016 年 3 月推出的 15.36 TB 高容量阵列提升了一倍。 32 个全新 1TB NAND 闪存封装进行组合（每个封装包含 16 层堆叠的 512Gb V-NAND 芯片），让这一突破成为了可能。这些超密集型 1TB 封装可将约 5,700 部 5 GB 全高清电影文件存储在仅 2.5 英寸大小的存储设备中。 除容量翻倍外，性能也大幅提升，几乎达到了三星前代高容量 SAS SSD 的两倍。基于 12Gb/s SAS 接口，新型 PM1643 驱动器的随机读取和写入速度分别高达 400,000 每秒进行读写操作的次数 (IOPS) 和 50,000 每秒进行读写操作的次数 (IOPS)，且顺序读取和写入速度分别达到 2,100MB/s 和 1,700 MB/s。这表示相对于典型的 2.5 英寸 SATA SSD*，随机读取性能和顺序服务性能分别提升了约三倍和两倍。 三星电子内存销售与营销团队执行副总裁 韓宰洙 (Jaesoo Han) 表示：“随着 30.72TB 固态硬盘的推出，我们再一次打破了企业级存储容量的壁垒，并在此过程中为全球超大容量存储系统开辟了新的领域。”他继续称，“三星将继续积极应对 10TB 以上固态硬盘需求的转变，同时，在企业系统的新时代，加速采用我们开拓性的存储解决方案。”

三星通过在控制器、DRAM 封装和相关软件的设计方面的多项技术进步，实现了容量和性能的再度提升。其中一项增强就是高效控制器架构，它将先前高容量 SSD 阵列中的 9 个控制器集成到单个封装中，让 SSD 能将更多空间用于存储。PM1643 驱动器还采用硅通孔 (TSV) 技术实现与 8Gb DDR4 芯片的互连，创造出 10 个 4GB TSV DRAM 封装（即总共 40GB 的 DRAM）。这标志着领先在 SSD 中运用采用了 TSV 技术的 DRAM。 运用支持元数据保护、数据保持和突然性电源故障恢复的增强型软件，以及可确保高可靠性和较少存储维护的错误纠正代码 (ECC) 算法，完善了 SSD 的硬件独创性。此外，SSD 提供可靠的耐久级大量每天写入量 (DWPD)，在五年质保期内每天可写入 30.72TB 数据且不会出现故障。PM1643 还具有两百万小时的平均故障间隔时间 (MTBF)。 三星已于一月开始生产首批 30.72TB SSD，并计划在今年稍后时间扩大生产线，生产 15.36TB、7.68TB、3.84TB、1.92TB、960GB 和 800GB 系列产品，从而进一步促进全闪存阵列的普及，加速企业市场中从硬盘驱动器 (HDD) 向 SSD 的过渡。类型广泛的模型和大幅改善的性能对满足众多市场中日益增长的存储需求起着关键作用，这些市场包括政府、金融服务、医疗卫生、教育、石油天然气、制药、社交媒体、业务服务、零售和通信领域。 ^{* 与三星 2.5 英寸 SSD 850 EVO 比较}