三星晶圆代工创新助力大数据、人工智能/机器学习以及智能联网设备的未来发展

全球先进半导体技术领先企业三星电子今日在 2021 年第五届三星晶圆代工论坛 (SFF) 上宣布了以全环绕栅极 (GAA) 晶体管结构为基础、针对 3 纳米和 2 纳米的持续制程技术迁移计划。 本届线上论坛将持续多日，以“扩展新维度（Adding One More Dimension）”为主题，吸引了全球 2,000 多家客户和合作伙伴参与。三星将在本届年度论坛中分享了该公司愿景，通过提升晶圆代工业务的制程技术、制造运营和代工服务等各个环节，巩固其在快速发展的晶圆代工市场中的领导地位。

三星电子总裁兼晶圆代工事业部负责人 Siyoung Choi 博士表示：“我们将全面提高产能，以先进的技术引领业界，同时在硅晶堆叠技术上精益求精，持续开展应用层面的技术创新。新冠疫情加速了数字化转型的步伐，我们的客户和合作伙伴将共同发掘硅晶应用的无限潜力，以便于适当的时机提供正确的技术。”

GAA 蓄势待发 — 3 纳米将于 2022 年量产，2 纳米于 2025 年量产
三星 独有的 GAA 技术多桥-通道场效应晶体管 (MBCFETTM) 具备更高的能效和性能以及灵活的设计能力，对持续制程技术迁移至关重要。三星首个采用 MBCFET 的 3 纳米 GAA 制程节点，相较于 5 纳米制程，能够使芯片面积缩减 35%，性能提升 30%，且功耗低 50%。除了功耗、性能和面积 (PPA) 方面的改进外，随着制程技术的成熟，3 纳米逻辑技术的收率已经逐渐趋近于目前量产中的 4 纳米制程。
三星计划于 2022 年上半年开始为客户生产首批基于 3 纳米技术设计的芯片，而其第二代 3 纳米芯片将于 2023 年投产。三星的技术路线图新增了采用 MBCFET 的 2 纳米制程节点，目前处于早期开发阶段，预计将于 2025 年量产。
适用于 CIS、DDI、MCU 的鳍式场效应晶体管 (FinFET) — 17 纳米专业制程技术登场
Samsung Foundry 不断改进其 FinFET 制程技术，以支持具备成本效益和应用竞争力的专业产品。三星 17 纳米 FinFET 制程节点，堪称这方面的典范。除了 FinFET 的固有优势外，该制程节点亦得益于 3D 晶体管架构，具有卓越的性能和能效。因此，与 28 纳米制程相比，三星 17 纳米 FinFET 可将面积缩小高达 43%，提升 39% 的性能以及 49% 的能效。
此外，三星正在积极推进 14 纳米制程，以支持 3.3V 高电压或快闪型嵌入式 MRAM (eMRAM)，进而提升写入速度和密度。该制程将是微控制器单元 （MCU）、物联网和可穿戴式设备等应用的理想选择。三星 8 纳米射频 (RF) 平台有望进一步巩固其在涵盖 6GHz 以下频段到毫米波应用的 5G 半导体市场的领先地位。
2021 年 11 月，Samsung Foundry 将携手其生态系统合作伙伴，以线上虚拟方式举办三星 SAFE 论坛。