三星电子开始基于 28 纳米全耗尽绝缘体上硅工艺的商用 eMRAM 产品出货

引领全球半导体技术的三星电子今天宣布，该公司已经开始量产首款基于其 28 纳米 (nm) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 工艺技术（称为 28FDS）的商用嵌入式磁随机存取存储器 (eMRAM) 产品。 由于基于电荷存储的操作原因，嵌入式闪存 (eFlash) 存在可扩展性问题，而 eMRAM 采用基于电阻的操作，具有良好的可扩展性，同时还具有非易失性、随机存取和良好的持久性等存储器半导体的杰出技术特征，已成为前景极为光明的后继选项。这证明了三星克服技术障碍的能力，彰显了嵌入式存储器技术进一步向 28 纳米以及更先进工艺节点扩展的可能性。 三星基于 28FDS 的 eMRAM 解决方案具有更好的功率和速度优势，同时成本更低。由于 eMRAM 不需要在写入数据前执行擦除环节，其写入速度大约比嵌入式闪存快一千倍。再者，eMRAM 的工作电压比嵌入式闪存更低，在关机模式下不会消耗电力，因此能效更高。 此外，由于可以通过添加极少数的层在工艺的后端轻松插入 eMRAM 模组，它对工艺前端的依赖更低，因此可以与平面式、鳍式和 FD-SOI 晶体管等现有的逻辑技术轻松集成。利用这种插入式模组概念，客户能够通过 eMRAM 这种新技术再利用现有的设计基础设施，同时节省成本。 通过与 28FD-SOI 组合以实现更好的晶体管控制，并通过本体偏置控制尽量减少漏电流，三星的 eMRAM 解决方案为多种应用提供了独有的优势，包括微控制器单元 (MCU)、物联网 (IoT) 和人工智能 (AI) 等。 “我们非常自豪能够克服新材料的复杂挑战，提供适合的嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术。” 三星电子晶圆代工业务副总裁 Ryan Lee 说。“通过将 eMRAM 与现有成熟的逻辑技术结合，Samsung Foundry 不断扩展其 eNVM 工艺组合，提供符合客户和市场需求的杰出竞争优势和优秀可制造性。” 3 月 6 日将在韩国器兴的三星工厂举行 eMRAM 产品首次出货庆典。三星计划扩大高密度 eNVM 解决方案的选择，包括在今年流片 1Gb eMRAM 试验芯片。