进入正文

三星宣布推出面向高性能应用并通过硅晶验证的 3D 集成电路技术

三星“X-Cube”开创性支持 7 纳米及更先进的 3D 静态随机存储器逻辑芯片。 带宽和密度都可以灵活扩展以满足多样化的新兴应用设计要求

  • 邮件
引领全球先进半导体技术的三星电子今天宣布，该公司通过硅晶验证的 3D 集成电路封装技术 eXtended-Cube (X-Cube) 已即时发布，以满足当今先进工艺节点的要求。X-Cube 采用三星的硅通孔 (TSV) 技术，实现了速度和能效的重大突破，可帮助满足 5G、人工智能、高性能计算以及移动和可穿戴设备等下一代应用对性能的严苛要求。 三星电子晶圆代工市场战略高级副总裁 Moonsoo Kang 说：“三星的新 3D 集成技术可在前沿的 EUV 工艺节点确保可靠的 TSV 互连。我们致力于通过更多的 3D 集成电路创新来实现半导体技术的突破。”
三星电子最尖端EUV系统半导体首次适用三维叠层技术
三星电子最尖端EUV系统半导体首次适用三维叠层技术

*所示图片仅供演示之用。

借助三星 X-Cube，芯片设计者可以更灵活地构建适合其独特需求的定制解决方案。基于 7 纳米工艺的 X-Cube 试验芯片采用 TSV 技术在逻辑裸片上堆叠静态随机存储器 (SRAM)，从而释放出空间以在更小的外形中封装更多的内存。这种超薄的封装设计采用 3D 集成技术，显著缩短了裸片之间的信号路径，从而实现理想的数据传输速度和能效。客户还可以根据需要的规格来扩展存储器带宽和密度。 三星 X-Cube 采用经硅晶验证的设计方法学和流程，现在支持 7 纳米和 5 纳米等先进工艺节点。在初步设计的基础上，三星将继续与全球无晶圆厂客户携手，促进 3D 集成电路解决方案在下一代高性能应用中的部署。 有关三星 X-Cube 的更多详细信息将在 Hot Chips 上呈现，这是有关高性能计算的年度盛会，将于 8 月 16-18 日举行流式直播。
Related contents
相关内容