三星电子开始量产行业 4 位消费者级 SSD

三星电子，先进内存技术的出色企业，于今日宣布，公司已开始量产行业面向消费者的 4 位四级单元 (QLC) 4 太字节 (TB) SATA 固态硬盘 (SSD)。 三星的 QLC SSD 基于 1 太比特 (Tb) V-NAND 制造，具有与公司的 3 位设计 SSD 同样出色的性能，可望进一步提升消费者级 SSD 的效率。 “三星的新款 4 位 SATA SSD 预示着面向消费者的太字节 SSD 取得巨大进步”，三星电子内存销售与营销执行副总裁 韓宰洙 (Jaesoo Han) 说。“随着我们不断扩展消费者细分市场和面向企业的产品阵容，4 位太字节 SSD 产品将会迅速占领整个市场。” 凭借其新款 1Tb 4 位 V-NAND 芯片，三星将能够高效地生产用于智能手机的 128GB 内存卡，这将引领更高容量内存卡的发展趋势，实现高性能的内存存储。 通常，当存储于内存单元中的数据从三位增加到四位时，每个单位面积的芯片容量将增加，电荷（用于确定来自传感器的信息）将会降低高达 50%，这使得保持设备所需的性能和速度变得相当困难。 但是，由于采用 3 位 SSD 控制器和 加速写入（TurboWrite）技术，同时使用 32 个芯片提升驱动器容量，三星的 4 位 4TB QLC SATA SSD 可保持与 3 位 SSD 同等级别的性能，这一切得益于 64 层第四代 1Tb V-NAND。* 4 位 QLC SSD 可实现 540 MB/s 的顺序读取速度和 520 MB/s 的顺序写入速度，并提供三年的保修。 三星计划在今年下半年推出容量为 1TB、2TB 和 4TB 且具有广泛使用的 2.5 英寸规格的多款 4 位消费者级 SSD。 自从 2006 年推出 32 吉字节 (GB) 1 位 SSD 以来，从此进入了 PC SSD 时代，到如今的 4TB 4 位 SSD，三星不断推升每一代多位产品的容量极限。** 此外，公司预计将会于今年提供面向企业的 M.2 NVMe SSD，并开始量产第四代 4 位 垂直非易失闪存 (V-NAND)。这将极大扩展公司的 SSD 产品阵容，满足各种应用对于更快、更可靠性能不断增长的需求，这些应用包括下一代数据中心、企业服务器、企业存储等。 ^{*1Tb (128GB) x 32 = 4TB (4,096GB) **三星量产 SSD 的历史（每单元位数）}

年份	位	节点	芯片容量	驱动器容量
2006	1 位 SLC（单级单元）	70 纳米级	4Gb	32GB
2010	2 位 MLC（多级单元）	30 纳米级	32Gb	512GB
2012	3 位 TLC（三级单元）	20 纳米级	64Gb	500GB
2018	4 位 QLC（四级单元）	第 4 代 V-NAND	1Tb	4 TB

三星电子株式会社简介 三星用突破性的理念和技术激励世界和塑造美好未来。公司将改变电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数字设备、网络系统，以及内存、系统 LSI、晶圆代工厂和 LED 解决方案的世界格局。如需了解最新的新闻，请访问三星新闻中心，网址为：http://news.samsung.com 。