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第 2 代 10 纳米级 16Gb LPDDR4X 移动 DRAM

- 三星将通过 1y 纳米工艺将其 DRAM 产品阵容扩展 70% 以上
- 超薄 8GB 封装能让下一代旗舰移动设备的设计更薄

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正面2个,后面1个,共3个 LPDDR4X 半导体图片
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韩国首尔 – 2018 年 7 月 26 日 – 三星电子,先进内存技术的出色企业,于今日宣布,公司已开始量产行业第 2 代 10 纳米级*(1y 纳米)LPDDR4X(低功率、双倍数据速率、第 4 代)DRAM,以改善如今高级智能手机和其他移动应用的效率并降低电池消耗。 与当前旗舰移动设备中使用较多的移动 DRAM 内存芯片(1x 纳米 16Gb LPDDR4X)相比,第 2 代 LPDDR4X DRAM 可降低高达 10% 的功耗,同时保持 4,266 兆位/秒 (Mb/s) 的相同数据速率。 “10 纳米级移动 DRAM 的推出,将有力增强下一代旗舰移动设备的性能,预计可能会在今年晚些时候或 2019 年上半年上市”, 三星电子 内存销售与营销高级副总裁 全世原 (Sewon Chun) 说。 “我们将继续扩展我们的高级 DRAM 产品阵容,引领‘高性能、高容量和低功率’内存领域,满足市场需求,以及加强我们的业务竞争力。” 三星将通过 1y 纳米工艺将其高级 DRAM 产品阵容扩展 70% 以上。 这一计划从去年十一月量产 10 纳米级 8Gb DDR4 服务器 DRAM 开始,仅在八个月之后就紧接着推出了这一款 16Gb LPDDR4X 移动内存芯片。 三星公司说,通过将四个 10 纳米级 16Gb LPDDR4X DRAM 芯片组合在一起 (16Gb=2GB),公司创造了一款 8GB LPDDR4X 移动 DRAM 封装。 这款四通道封装可实现 34.1GB/秒的数据速率,其厚度相对于第 1 代封装降低了超过 20%,使 原始设备制造 (OEM) 能够设计更薄更高效的移动设备。 凭借先进的 LPDDR4X 技术,三星将能够通过提供各种高容量产品,包括 4GB、6GB 和 8GB LPDDR4X 封装,从而快速提高其移动 DRAM 在市场中的份额。 为了配合 10 纳米级 LPDDR4X 的推出,三星已经开始在韩国平泽启动新的 DRAM 生产线,确保稳定供应所有移动 DRAM 芯片,满足市场不断增长的需求。 *10 纳米级表示介于 10 至 19 纳米之间的工艺技术节点。 时间表:三星自 2012 年起量产移动 DRAM 的历史 1) 2012.08 2GB 30 纳米级          4Gb LPDDR3,1600Mb/s 2) 2013.04 2GB 20 纳米级 (2y) 4Gb LPDDR3,2133Mb/s 3) 2013.11 3GB 20 纳米级 (2y) 6Gb LPDDR3,2133Mb/s 4) 2014.09 3GB 20 纳米级 (2z) 6Gb LPDDR3,2133Mb/s 5) 2014.12 4GB 20 纳米级 (2z) 8Gb LPDDR4,3200Mb/s 6) 2015.08 6GB 20 纳米级 (1z) 12Gb LPDDR4,4266Mb/s 7) 2016.09 8GB 10 纳米级 (1x) 16Gb LPDDR4,4266Mb/s 8) 2018.07 8GB 10 纳米级 (1y) 16Gb LPDDR4X,4266Mb/s * 2018.07 开发 10 纳米级 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s 三星电子株式会社 简介 三星 用突破性的理念和技术激励世界和塑造美好未来。 公司将改变电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数字设备、网络系统,以及内存、系统 LSI、 晶圆代工厂和 LED 解决方案的世界格局。 如需了解最新的新闻,请访问 三星 新闻中心,地址为:http://news.samsung.com .

* LPDDR4X - 四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器, DRAM - 动态随机存储器, DDR4 - 四代双倍数据率同步动态随机存储器

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