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M386AAG40BM3-CWE

lrdimm
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低负载双列直插式存储模块
低负载双列直插式存储模块
低负载双列直插式存储模块

包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器
通过放置数据缓冲区优化数据信号
用于实现高密度和高速度的出色解决方案
支持 x4 组织/每个 DIMM 和 3DPC 最高 4 个级别
应用：服务器 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器
通过放置数据缓冲区优化数据信号
用于实现高密度和高速度的出色解决方案
支持 x4 组织/每个 DIMM 和 3DPC 最高 4 个级别
应用：服务器 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器
通过放置数据缓冲区优化数据信号
用于实现高密度和高速度的出色解决方案
支持 x4 组织/每个 DIMM 和 3DPC 最高 4 个级别
应用：服务器

规格

  • DDRDDR
    DDR4
  • Dimm TypeDIMM 类型
    RDIMM
  • Density容量
    128 GB
  • Rank*Org内存区块组织
    4R x 4
  • Speed速率
    3200 Mbps
  • Voltage工作电压
    1.2 V
  • No. of Pins针脚数目
    288
  • Component Composition组件成分
    (DDP 8G x 4) x 36
  • Production Status生产状态
    Mass Production

* 所有产品规格均基于内部测试结果，可能因用户系统配置不同而有所差异。
* 呈现的所有产品图片仅用于展示之目的，与实际产品不一定完全一致。
* 三星保留对产品图片和规格随时进行更改的权利，恕不另行通知。