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M474A2G43CB2-CWE

Samsung Semiconductor DRAM Module, Memory Modules for Extensive Use
Samsung Semiconductor DRAM Module, Memory Modules for Extensive Use

带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块/带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块
带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块/带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块
带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块/带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块

提供单一错误纠正和检测
支持 x8，每个 DIMM 最高 2 个级别
应用：高端台式机、高端笔记本电脑、服务器 提供单一错误纠正和检测
支持 x8，每个 DIMM 最高 2 个级别
应用：高端台式机、高端笔记本电脑、服务器 提供单一错误纠正和检测
支持 x8，每个 DIMM 最高 2 个级别
应用：高端台式机、高端笔记本电脑、服务器

规格

  • DDRDDR
    DDR4
  • Dimm TypeDIMM 类型
    ECC SODIMM
  • Density容量
    16 GB
  • Rank*Org内存区块组织
    1R x 8
  • Speed速率
    3200 Mbps
  • Voltage工作电压
    1.2 V
  • No. of Pins针脚数目
    260
  • Component Composition组件成分
    (2G x 8) x 9
  • Production Status生产状态
    Mass Production

* 所有产品规格均基于内部测试结果，可能因用户系统配置不同而有所差异。
* 呈现的所有产品图片仅用于展示之目的，与实际产品不一定完全一致。
* 三星保留对产品图片和规格随时进行更改的权利，恕不另行通知。