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  • 优质性能
    重新定义未来
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    Samsung Semiconductor DRAM DDR5.

五代双倍数据率同步动态随机存储器
带来以数据为中心的创新
五代双倍数据率同步动态随机存储器
带来以数据为中心的创新
五代双倍数据率同步动态随机存储器
带来以数据为中心的创新

五代双倍数据率同步动态随机存储器满足了正在经历数据巨大爆发的行业的需求。
五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性,以提高整体系统性能。
三星的内存技术通过节能五代双倍数据率同步动态随机存储器推动了下一个环保创新时代的到来。
五代双倍数据率同步动态随机存储器满足了正在经历数据巨大爆发的行业的需求。
五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性,以提高整体系统性能。
三星的内存技术通过节能五代双倍数据率同步动态随机存储器推动了下一个环保创新时代的到来。
五代双倍数据率同步动态随机存储器满足了正在经历数据巨大爆发的行业的需求。
五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性,以提高整体系统性能。
三星的内存技术通过节能五代双倍数据率同步动态随机存储器推动了下一个环保创新时代的到来。

An illustrative image of Samsung DDR5 chip above The Earth.

专为大量实时数据服务的
超快速度
专为大量实时数据服务的
超快速度
专为大量实时数据服务的
超快速度

五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的卓越传输速度,有效处理对更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。
与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比,五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多,
突发长度从 8 翻倍至 16,存储库数量从 16 翻倍至 32。
令人惊叹的性能提升了大数据处理的天花板,同时无缝处理 8K 内容。
五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的卓越传输速度,有效处理对更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。
与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比,五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多,
突发长度从 8 翻倍至 16,存储库数量从 16 翻倍至 32。
令人惊叹的性能提升了大数据处理的天花板,同时无缝处理 8K 内容。
五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的卓越传输速度,有效处理对更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。
与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比,五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多,
突发长度从 8 翻倍至 16,存储库数量从 16 翻倍至 32。
令人惊叹的性能提升了大数据处理的天花板,同时无缝处理 8K 内容。
An illustrative image of DDR5 with higher performance transfer speeds of up to 7,200 Mbps.

容量翻倍,
助力行业创新
容量翻倍,
助力行业创新
容量翻倍,
助力行业创新

三星的 10 纳米级工艺和极紫外光刻 (EUV) 技术使芯片容量从 16 千兆比特 (Gb) 跃升至 32Gb。
芯片容量翻倍意味着一个模块可以提供高达 512GB 的容量,以流畅处理巨大的同时工作负载,具有未来创新的可扩展性。
三星的 10 纳米级工艺和极紫外光刻 (EUV) 技术使芯片容量从 16 千兆比特 (Gb) 跃升至 32Gb。
芯片容量翻倍意味着一个模块可以提供高达 512GB 的容量,以流畅处理巨大的同时工作负载,具有未来创新的可扩展性。
三星的 10 纳米级工艺和极紫外光刻 (EUV) 技术使芯片容量从 16 千兆比特 (Gb) 跃升至 32Gb。
芯片容量翻倍意味着一个模块可以提供高达 512GB 的容量,以流畅处理巨大的同时工作负载,具有未来创新的可扩展性。
An image of float the Samsung DDR5 chip and variety of application images in the datacenter, with 'Up to 512GB, 2X capacity' typography.

具备自纠错解决方案的
强大可靠性
具备自纠错解决方案的
强大可靠性
具备自纠错解决方案的
强大可靠性

应用于 五代双倍数据率同步动态随机存储器 的 ODECC(片上纠错码)技术帮助保持安全稳定的数据可靠性,以完全利用强大的性能。
ODECC 几乎消除了单比特错误,从而提高了可靠性,即使在大数据的繁重需求下也是如此。
应用于 五代双倍数据率同步动态随机存储器 的 ODECC(片上纠错码)技术帮助保持安全稳定的数据可靠性,以完全利用强大的性能。
ODECC 几乎消除了单比特错误,从而提高了可靠性,即使在大数据的繁重需求下也是如此。
应用于 五代双倍数据率同步动态随机存储器 的 ODECC(片上纠错码)技术帮助保持安全稳定的数据可靠性,以完全利用强大的性能。
ODECC 几乎消除了单比特错误,从而提高了可靠性,即使在大数据的繁重需求下也是如此。
An image of Samsung DDR5 chips are crossed against an image of 'Non ODECC, ODECC' typography written on graphic symbolized the data.

让地球可持续发展的
节能选择
让地球可持续发展的
节能选择
让地球可持续发展的
节能选择

通过提高性能和降低功耗,五代双倍数据率同步动态随机存储器的节能性比四代双倍数据率同步动态随机存储器提升 30%。
将数据中心的四代双倍数据率同步动态随机存储器 替换为 五代双倍数据率同步动态随机存储器,每年可节省多达1 亿千瓦时 (TWh) 的电力。
该双列内存直插式模块 (DIMM) 电源管理集成电路 (PMIC) 进一步提高了电源管理效率和供电稳定性。这是我们环境全面可持续的选择。
通过提高性能和降低功耗,五代双倍数据率同步动态随机存储器的节能性比四代双倍数据率同步动态随机存储器提升 30%。
将数据中心的四代双倍数据率同步动态随机存储器 替换为 五代双倍数据率同步动态随机存储器,每年可节省多达1 亿千瓦时 (TWh) 的电力。
该双列内存直插式模块 (DIMM) 电源管理集成电路 (PMIC) 进一步提高了电源管理效率和供电稳定性。这是我们环境全面可持续的选择。
通过提高性能和降低功耗,五代双倍数据率同步动态随机存储器的节能性比四代双倍数据率同步动态随机存储器提升 30%。
将数据中心的四代双倍数据率同步动态随机存储器 替换为 五代双倍数据率同步动态随机存储器,每年可节省多达1 亿千瓦时 (TWh) 的电力。
该双列内存直插式模块 (DIMM) 电源管理集成电路 (PMIC) 进一步提高了电源管理效率和供电稳定性。这是我们环境全面可持续的选择。
An illustrative image of 'up to Power efficiency 30%' typography against an image of trees, mountain in the earth.

条结果
所有产品

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