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我们的
辉煌历程

纵观公司历史，

从艰难起步到全球半导体巨擘，

我们一直秉持着对创新的不懈追求

创造未来 2010-最近

  • 获得半导体产品碳足迹生命周期评估验证
  • 获得国际水管理联盟（AWS）最高级别认证
  • 量产全球首款12纳米级DRAM
  • 推出2亿像素图像传感器HP3
  • 全球首家在3纳米工艺节点上实现晶圆代工量产
  • 量产第8代236层V-NAND闪存
  • 研发12纳米级16Gb DDR5
  • 开发全球首款人工智能（AI）存储半导体
  • 三星半导体遍布全球的所有工厂均获得碳、水和废弃物三标奖
  • 公开2亿像素图像传感器 ISOCELL HP1
  • 业界首度实现14纳米DRAM商业化
  • 研发LPDDR5X
  • 量产新一代高性能车规存储器解决方案
  • 研发全球首个3纳米超精细制成工艺技术
  • 正式启动华城厂区极紫外光刻（EUV）专用V1生产线
  • 业界首次将极紫外光刻（EUV）制程应用于DRAM生产
  • 推出业界首个在极紫外光刻（EUV）系统半导体适用3D堆叠技术
  • 量产全球首款“1TB容量嵌入式通用闪存(eUFS)
  • 研发全球首款第三代10纳米级DRAM
  • 公开业界首款6400万像素手机图像传感器
  • 量产全球首款第六代V-NAND固态硬盘
  • 研发业界首个12层3D-TSV芯片封装技术
  • 于韩国华城建立 EUV 生产线及中国西安建立第二条内存生产线
  • 开始量产第 5 代 V-NAND 及开发行业第一款 8Gb LPDDR5
  • 开发三星的第一款 5G 调制解调器（Exynos 调制解调器 5100）
  • 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto
  • 开始量产基于 EUV 的 7 纳米 LPP
  • 韩国平泽工厂开始生产
  • 晶圆代工厂业务部门与系统大规模集成电路 (LSI) 业务分离
  • 开始量产第 2 代 10 纳米 FinFET 工艺
  • 开始大规模生产业界先进的 10 纳米鳍式场效应晶体管 SoC
  • 开始大规模生产业界先进的 10 纳米级 DRAM
  • 17 号线开始生产
  • 开始大规模生产业界先进的 14 纳米鳍式场效应晶体管移动 AP
  • 为美国半导体业务设立新总部
  • 开始大规模生产业界先进的 20 纳米级 8Gb 移动 DRAM (LPDDR4)
  • 中国西安工厂开始生产 (SCS)
  • 开始大规模生产业界先进的 3D 垂直式 NAND (V-NAND) 内存
  • 推出业界先进的移动 AP Exynos 5 Octa 来实施 big.LITTLE™ 体系结构
  • 开始大规模生产业界先进的 30 纳米级 4Gb 移动 DRAM (LPDDR2)
  • 推出品牌应用处理器 Exynos
  • 开发业界先进的 32 纳米 高介电金属闸极 (HKMG : High-K Metal Gate) 工艺
  • 开始大规模生产业界先进的 20 纳米级 NAND 闪存

继续前行 2000-2009

  • 开始大规模生产业界先进的 40 纳米级 2Gb DRAM
  • 美国奥斯汀工厂 2 号线开始生产 (SAS)
  • 开发业界先进的 16 芯片 MCP
  • 推出业界先进的 32GB SSD
  • 开发业界先进的 DDR3 SDRAM
  • 开发业界先进的 60 纳米级 8Gb NAND 闪存
  • 获得较高的闪存市场份额
  • 获得较高的 LCD 驱动器 IC 市场份额
  • 开发业界先进的 90 纳米级 2Gb NAND 闪存
  • 创立华城园区

占据
舞台中心 1990-1999

  • 开始发布业界先进的 128Mb 闪存
  • 美国奥斯汀工厂开始生产 (SAS)
/content/semiconductor/kr/events/samsung-foundry-forum-2023
  • 开发业界先进的 1Gb DRAM
  • 开发业界先进的 256Mb DRAM
  • 开辟了业界先进的 200 毫米生产线（5 号线）
  • 在世界范围内获得较高的内存市场份额
  • 开发业界先进的 64Mb DRAM
  • 在世界范围内获得较高的 DRAM 市场份额

历史的画卷正式展开 1980-1989

  • 开发 4Mb DRAM
  • 开发 1Mb DRAM
  • 在韩国器兴开辟了 1 号生产线
  • 开发 256Kb DRAM
  • 开始超大规模集成电路业务
  • 开发 64Kb
  • 创立器兴园区

撒下种子 1974-1979

  • 开始为 发光二极管 (LED) 手表大量生产 集成电路 (IC)
  • 三星电子收购韩泰半导体