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三星成功完成 8 纳米 RF 解决方案开发以增强 5G 通信芯片解决方案

与 14 纳米 RF 相比,新的 8 纳米 RF 芯片架构可提升 35% 的能效并减少 35% 的逻辑面积

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引领全球先进半导体技术的三星电子今天推出了基于 8 纳米 (nm) 工艺的新款无线电频率 (RF) 技术。 这一先进的晶圆代工技术预计将为客户提供“单一芯片解决方案”,尤其适合 5G 通信应用,支持多通道和多天线芯片设计。三星 8 纳米 RF 平台的扩展有望进一步巩固其在涵盖从 6GHz 以下频段到毫米波应用的 5G 半导体市场的优势地位。 三星已经拥有十分庞大的 RF 相关解决方案组合,包括 28 纳米和 14 纳米 RF 产品,8 纳米 RF 工艺技术为这一组合再添新军。三星从 2017 年以来已经出货 5 亿多枚面向高端智能手机的移动 RF 芯片,确立了该公司在 RF 市场的优势地位。 三星电子晶圆代工技术开发团队主管 Hyung Jin Lee 表示:“通过卓越的创新和工艺,我们强化了下一代无线通信产品组合。随着 5G 毫米波产品的扩展,三星 8 纳米 RF 解决方案将成为需要在小巧的移动设备中实现长电池续航和卓越信号质量的客户的理想选择。” 三星新品 RFeFET™ 架构 随着先进工艺节点的不断进步,数字电路的性能、耗电量和面积 (PPA) 等指标都已显著提升,但由于窄线款导致电阻增加等退行性寄生的原因,模拟/RF 组件并未享受到这样的改进。结果导致大部分通信芯片的 RF 特性往往会降级,例如接收频率的放大性能下降、耗电量增加等。 为了解决模拟/RF 扩展难题,三星开发了 RFextremeFET (RFeFET™) 这种独特的 8 纳米 RF 专用架构,它能够显著改善 RF 特性,同时减少耗电量。与 14 纳米 RF 相比,三星 RFeFET™ 成为数字 PPA 扩展的良好补充,同时恢复了模拟/RF 扩展能力,从而可以支持高性能的 5G 平台。 三星通过优化工艺提升了通道的机动性并减少了寄生现象。随着 RFeFET™ 性能的显著提升,RF 芯片中的晶体管总数和模拟/RF 组件的面积也得以减少。 借助 RFeFET™ 架构的创新,与 14 纳米 RF 相比,三星 8 纳米 RF 工艺技术可将能效提升高达 35%,将 RF 芯片面积减少 35%。