三星电子位于韩国器兴的新半导体研发基地破土动工

三星电子在韩国器兴的新半导体研发基地今天破土动工，旨在扩大公司在先进半导体技术领域的优势。 三星电子计划到 2028 年为此项目投资约 20 万亿韩元。该基地位于器兴园区，占地大约 109,000 平方米。据长期规划，新的研发中心将有可能引领下一代先进存储器和系统半导体器件和工艺的研究，以及创新技术的开发。 出席破土动工仪式的有三星电子副会长 Jay Y. Lee、公司总裁兼首席执行官 Kye Hyun Kyung、存储器业务部总裁 Jung-Bae Lee、晶圆代工业务部总裁 Siyoung Choi 和 System LSI 业务部总裁 Yong-In Park，以及 100 多位员工。 公司总裁兼设备解决方案 (DS) 部门负责人Kye Hyun Kyung 说：“我们新建的现代化研发综合设施将成为创新的中心，我们希望在这里汇聚全世界的优秀研究人才，并帮助他们共同成长。期待这一新的开始会为我们半导体业务的可持续增长奠定基础。” 三星电子建设新研发设施的目的是为了突破半导体产能规模的限制，巩固公司在半导体技术领域的优势。 三星电子器兴园区位于首尔南部，靠近 DS 部门的华城厂区，是 1992 年全球首个 64Mb 动态随机存储器 (DRAM) 的诞生之地，也标志着公司在半导体领域领先地位的开始。 新建的器兴研发中心，加上在华城的研发线以及在平泽的全球最大半导体生产综合设施，预计也将提升三星在首尔都市区的三大主要半导体基地的协同效应。 在奠基仪式后，三星副社长 Jay Y. Lee 视察了华城厂区，并和DS 部门的员工共同讨论了促进公司创新的途径。在随后的单独会议上，副社长Jay Y.Lee与 DS 部门高管讨论了当前全球半导体行业面临的问题、下一代半导体技术研发的进展,以及保护技术成果以提升在半导体领域技术优势的途径。