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三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

  • 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地为企业扩展存储空间

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这是三星电子第8代V-NAND的正反面。
这是三星电子第8代V-NAND的正反面。
作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
白色背景下有三星电子第8代V NAND的正面和背面。
白色背景下有三星电子第8代V NAND的正面和背面。
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示:“市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。” 通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。 三星第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。 * 编者按:Toggle DDR接口版本——1.0(133Mbps)、2.0(400Mbps)、3.0(800Mbps)、4.0(1200Mbps)和5.0(2400Mbps) * 本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考,三星有可能对上述内容进行改进,具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星半导体官网(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非经特殊说明,本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果,涉及的对比均为与三星产品相比较。
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