三星在FMS 2024展会中引领AI革命，推出超高容量和性能的内存与存储解决方案

下一代存储解决方案突破界限，以满足数据密集型AI应用的快速需求

三星电子作为行业先驱的一员，在FMS 2024展会上展示了其针对AI时代日益增长需求的内存和存储解决方案。此次展会于8月6日至8日在圣克拉拉会议中心举行。FMS（内存与存储的未来），前身为“闪存峰会”，已经将关注点从闪存扩展到所有内存和存储层级。

随着AI的广泛普及，我们正在经历全球范式的转变。三星强调了其适应这一转变的能力，探讨了主题为“AI革命：推动内存与存储的新需求”。公司首次展示了其全新的V9晶圆，以及满足高容量、高性能和低功耗需求的新SSD和DRAM产品。

主要发言人包括三星电子美国公司内存销售执行副总裁Jim Elliott、解决方案产品工程执行副总裁Hwaseok Oh，以及DRAM解决方案副总裁Taeksang Song。

三星电子美国公司产品规划执行副总裁Sangyeun (Paul) Cho参与了由NVIDIA主办的一个小组讨论。该小组包括了对内存和存储限制以及AI工作负载快速创新需求有深刻理解的行业专家。Cho强调了为下一代产品竞争力优先考虑定制化的重要性，并指出随着大型语言模型（LLM）的复杂性增加，对低功耗和高容量解决方案的需求也在增长。Cho还补充说，三星还计划关注提升热管理解决方案的可靠性、可用性和服务性。

AI时代的存储优化

新兴的AI应用相比传统应用需要更大的容量、更快的速度和更低的功耗。三星通过成为首家量产第九代V-NAND技术的公司来应对这一需求。公司在今年的FMS上首次展示了其突破性的V9三层单元（TLC），并对其量产能力充满信心。新款 V9 TLC 提供业界顶尖的比特密度，具有卓越的 I/O 速度和电源效率，并且非常适合 AI 开发。

三星首次展示了其PM1753低功耗16通道SSD，满足AI应用对高吞吐量的需求。PM1753设计用于处理大量写入负载和大规模训练数据，展示了与V9 NAND TLC技术的结合。BM1743也首次亮相，成为业界最高容量的四层单元（QLC）SSD。64TB BM1743型号已准备量产，128TB型号预计将在2024年11月完成开发。三星因其BM1743 128GB QLC获得了“最具创新内存技术”奖，Hwaseok Oh在FMS 2024的正式颁奖仪式上接受了该奖项。

下一代存储的热管理解决方案

突破性的热技术对于提升下一代存储创新至关重要。三星正在积极开发减少热阻的材料和设计，以解决更高水平的热散发问题。公司还在研究开发与浸没冷却环境兼容的SSD技术。根据客户需求，测试在单相和双相热环境中进行。三星已在单相热测试中成功运行超过7000小时，并设计了优化的浸没冷却散热器，实现了28%的热效率提升。

下一代高容量和高带宽内存解决方案

随着AI需求的迅速增加，对系统性能和内存带宽的要求每年显著增长。高容量和高带宽是支持复杂AI工作负载的必要条件。三星通过其DDR5 RDIMM和DDR5 MCRDIMM（多路复用组合等级DIMM）解决方案来满足超高容量的需求。DDR5 MCRDIMM将容量推向极限，512GB版本将于明年初发布。

通过CXL扩展内存容量和带宽

三星下一代内存解决方案的一个关键支柱是CXL1内存模块（CMMs）。CXL解决方案是应对AI时代对高容量需求迅速增长的最有效方式之一，能够在不增加额外基础设施投资的情况下实现内存共享和扩展。除了CMM-D、CMM-H和CMM-B，三星还在积极研究用于AI应用的下一代内存解决方案，提供可扩展的内存解决方案，直接连接内存池到GPU或GPU交换机。

扩展内存极限，拓展AI可能性

在三星的展位上，参观者能够看到公司在主题演讲中揭示的最新内存和存储产品。展位上充满了兴奋的气氛，行业同行们积极交流，分享对未来创新的见解。三星在今年FMS上宣布的开创性产品为内存和存储创新的未来提供了前瞻性的展望。随着我们迈入新时代，公司将继续致力于重新定义和扩展内存容量和性能的极限，以满足客户对未来挑战的需求。

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