三星开启行业首个面向AI时代的第九代QLC V-NAND量产

韩国首尔 – 2024年9月12日 – 全球领先的先进存储技术企业三星电子今日宣布，已开始量产其1Tb（兆位）四层单元（QLC）第九代垂直NAND（V-NAND）。 

继今年4月率先量产第九代三 层单元(TLC) V-NAND 之后，三星此次又率先推出QLC V-NAND，进一步巩固了其在大容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。

三星电子闪存产品与技术负责人、执行副总裁SungHoi Hur表示：“在TLC版本成功量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND的成功量产使我们能够提供一整套先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场在AI应用需求的推动下快速增长，我们将继续通过QLC和TLC第九代V-NAND巩固我们在这一领域的市场地位。”

三星计划扩大第九代QLC V-NAND的应用，首先从品牌消费类产品开始，逐步扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑(PC)和服务器固态硬盘(SSD)，为包括云服务提供商在内的客户提供解决方案。

三星的第九代QLC V-NAND汇集了多项创新技术，带来了技术突破：

• 三星引以为傲的通道孔蚀刻技术，使得双堆叠结构在行业中实现了最高的层数。凭借第九代TLC V-NAND积累的技术经验，优化了单元区和外围电路的面积，使得位密度较前代QLC V-NAND提高了约86%。

•  “预设模具”技术通过调节单元工作字线（WL）的间距，确保层间及层内单元特性的均匀性与优化。随着V-NAND层数的增加，这些特性变得尤为重要。采用“预设模具”技术使数据保持性能较之前版本提升了约20%，从而提高了产品的可靠性。

• 预测编程技术通过预测和控制单元状态变化，减少不必要的操作。借助此技术，三星第九代QLC V-NAND的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升了60%。

• 低功耗设计技术通过减少NAND单元驱动电压并只感应必要的位线（BL），大幅降低功耗。读写数据的功耗分别减少了约30%和50%。

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