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    三星 HBM3

更高带宽带来更大可能性
更高带宽带来更大可能性
更高带宽带来更大可能性

专为数据中心加速,减轻高性能计算负荷,充分挖掘人工智能 (AI) 潜能的芯片。HBM3 Icebolt 高带宽存储采用 12 层高速 DRAM,拥有超凡的速度、更高能效和更大容量。超越现行(第二代HBM2E产品)标准,助您轻松应对未来挑战。 专为数据中心加速,减轻高性能计算负荷,充分挖掘人工智能 (AI) 潜能的芯片。HBM3 Icebolt 高带宽存储采用 12 层高速 DRAM,拥有超凡的速度、更高能效和更大容量。超越现行(第二代HBM2E产品)标准,助您轻松应对未来挑战。 专为数据中心加速,减轻高性能计算负荷,充分挖掘人工智能 (AI) 潜能的芯片。HBM3 Icebolt 高带宽存储采用 12 层高速 DRAM,拥有超凡的速度、更高能效和更大容量。超越现行(第二代HBM2E产品)标准,助您轻松应对未来挑战。

速度突破,性能惊艳
速度突破,性能惊艳
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HBM3 Icebolt 以高达 6.4Gbps 处理速度和高达 819GB/s 的带宽将性能提升到新高度。比上一代产品快将近 1.8 倍,无论是在元宇宙中打造丰富多彩的世界,加速 AI,还是在茫茫的大数据海洋中寻找关乎未来的答案,一切体验都将快速且流畅。
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HBM3 Icebolt 以高达 6.4Gbps 处理速度和高达 819GB/s 的带宽将性能提升到新高度。比上一代产品快将近 1.8 倍,无论是在元宇宙中打造丰富多彩的世界,加速 AI,还是在茫茫的大数据海洋中寻找关乎未来的答案,一切体验都将快速且流畅。

精良的芯片堆叠技术
精良的芯片堆叠技术
精良的芯片堆叠技术

借助专为数据中心加速而设计的 HBM,让数据发挥更大作用。HBM3 Icebolt 采用 12 层 10 纳米级 16 Gb DRAM die堆叠,实现 24GB 的存储容量,24GB是三星前代产品HBM2E的 1.5 倍。利用新型解决方案打造更强大的神经网络,并以更快的速度处理数据。
借助专为数据中心加速而设计的 HBM,让数据发挥更大作用。HBM3 Icebolt 采用 12 层 10 纳米级 16 Gb DRAM die堆叠,实现 24GB 的存储容量,24GB是三星前代产品HBM2E的 1.5 倍。利用新型解决方案打造更强大的神经网络,并以更快的速度处理数据。
借助专为数据中心加速而设计的 HBM,让数据发挥更大作用。HBM3 Icebolt 采用 12 层 10 纳米级 16 Gb DRAM die堆叠,实现 24GB 的存储容量,24GB是三星前代产品HBM2E的 1.5 倍。利用新型解决方案打造更强大的神经网络,并以更快的速度处理数据。

兼具更低功耗
兼具更低功耗
兼具更低功耗

处理速度更快,存储容量更大,但能效比却明显高于上一代HBM2E。HBM3 Icebolt 具有前所未有的强大能力,采用超高效设计,能效比上一代产品提高了 10%。因此,能提高性能同时减轻服务器的负担。
处理速度更快,存储容量更大,但能效比却明显高于上一代HBM2E。HBM3 Icebolt 具有前所未有的强大能力,采用超高效设计,能效比上一代产品提高了 10%。因此,能提高性能同时减轻服务器的负担。
处理速度更快,存储容量更大,但能效比却明显高于上一代HBM2E。HBM3 Icebolt 具有前所未有的强大能力,采用超高效设计,能效比上一代产品提高了 10%。因此,能提高性能同时减轻服务器的负担。

可靠性提升到新高度
可靠性提升到新高度
可靠性提升到新高度

HBM3 Icebolt即使在提供更高速度的情况下,仍然提供增强型自我校正功能,从而保证数据可靠性。HBM3 Icebolt 解决方案可校正所有 16 位错误 - 相较于仅校正单比特错误的上一代产品HBM2E,ODECC 能力实现巨大飞跃。因此,能够消除更多错误,更好的防止数据损坏,保持你数据的稳定性和安全性。
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*本广告中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考,三星有可能对上述内容进行改进,具体信息请参照产品实物、产品说明书。除非经特殊说明,本广告中所涉及的数据均为三星内部测试结果,本广告中涉及的对比均为与三星产品相比较。

条结果
所有产品

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