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  • 提升人工智能 (AI)
    的能力
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    的能力

    Samsung Semiconductor DRAM HBM2E Flashbolt.

加速、扩展并确保超级计算和 AI 技术
加速、扩展并确保超级计算和 AI 技术
加速、扩展并确保超级计算和 AI 技术

超级计算和基于 AI 技术的发展需要高水准的内存,以满足行业对带宽、容量和效率的需求。
HBM2E Flashbolt 能够提升 AI 的能力,通过其扩展的容量处理更多大数据,并提供高带宽。
超级计算和基于 AI 技术的发展需要高水准的内存,以满足行业对带宽、容量和效率的需求。
HBM2E Flashbolt 能够提升 AI 的能力,通过其扩展的容量处理更多大数据,并提供高带宽。
超级计算和基于 AI 技术的发展需要高水准的内存,以满足行业对带宽、容量和效率的需求。
HBM2E Flashbolt 能够提升 AI 的能力,通过其扩展的容量处理更多大数据,并提供高带宽。

高性能计算的
驱动力
高性能计算的
驱动力
高性能计算的
驱动力

三星凭借在 AI 算法、数据科学、自动驾驶、
第五代移动通信技术 (5G) 等多个行业实现优质技术进步的经验,
推出了 HBM2E 解决方案,再次确立了其在内存行业的地位。
三星凭借在 AI 算法、数据科学、自动驾驶、
第五代移动通信技术 (5G) 等多个行业实现优质技术进步的经验,
推出了 HBM2E 解决方案,再次确立了其在内存行业的地位。
三星凭借在 AI 算法、数据科学、自动驾驶、
第五代移动通信技术 (5G) 等多个行业实现优质技术进步的经验,
推出了 HBM2E 解决方案,再次确立了其在内存行业的地位。
An illustrative image of Samsung HBM2E Flashbolt's fast data transfers of 3.2 Gbps per pin.

用于高级任务的
高带宽
用于高级任务的
高带宽
用于高级任务的
高带宽

HBM2E Flashbolt 的处理速度为 3.6 千兆比特每秒 (Gbps),速度约是上一代 HBM 速度的 1.5 倍。
除此之外,HBM2E Flashbolt 还通过硅通孔 (TSV) 技术实现了高带宽,
有助于快速处理大量数据,将 AI 训练效率提高了 6 倍*左右。

* 数据基于云服务中 8 个图形处理器 (GPU) 与 72 个中央处理器 (CPU) 的比较得出
HBM2E Flashbolt 的处理速度为 3.6 千兆比特每秒 (Gbps),速度约是上一代 HBM 速度的 1.5 倍。
除此之外,HBM2E Flashbolt 还通过硅通孔 (TSV) 技术实现了高带宽,
有助于快速处理大量数据,将 AI 训练效率提高了 6 倍*左右。

* 数据基于云服务中 8 个图形处理器 (GPU) 与 72 个中央处理器 (CPU) 的比较得出
HBM2E Flashbolt 的处理速度为 3.6 千兆比特每秒 (Gbps),速度约是上一代 HBM 速度的 1.5 倍。
除此之外,HBM2E Flashbolt 还通过硅通孔 (TSV) 技术实现了高带宽,
有助于快速处理大量数据,将 AI 训练效率提高了 6 倍*左右。

* 数据基于云服务中 8 个图形处理器 (GPU) 与 72 个中央处理器 (CPU) 的比较得出
An illustrative image of 16 Gb core dies that offers twice the capacity of 8 Gb HBM solutions on the market.

双倍容量,
处理更多数据
双倍容量,
处理更多数据
双倍容量,
处理更多数据

通过叠加 8 层 10 纳米级 16 千兆比特 (Gb) 动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片,HBM2E Flashbolt 提供了约两倍于上一代 HBM 解决方案的容量。
更大容量使得深度神经网络得以进一步发展,大大提高了大数据分析获取结果的速度。

※ 来源于三星电子数据表(可根据要求提供)
通过叠加 8 层 10 纳米级 16 千兆比特 (Gb) 动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片,HBM2E Flashbolt 提供了约两倍于上一代 HBM 解决方案的容量。
更大容量使得深度神经网络得以进一步发展,大大提高了大数据分析获取结果的速度。

※ 来源于三星电子数据表(可根据要求提供)
通过叠加 8 层 10 纳米级 16 千兆比特 (Gb) 动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片,HBM2E Flashbolt 提供了约两倍于上一代 HBM 解决方案的容量。
更大容量使得深度神经网络得以进一步发展,大大提高了大数据分析获取结果的速度。

※ 来源于三星电子数据表(可根据要求提供)
An illustrative image of Samsung HBM2E Flashbolt against an image of servers.

更高性能,
更低能耗
更高性能,
更低能耗
更高性能,
更低能耗

与上一代 HBM 解决方案相比,
HBM2E Flashbolt 在能效方面提高了约 18%,
并增加了约 1K 的电源凸块。
这确保了更安全的电力供应,
消耗更少的能源。

※ 来源于三星电子数据表(可根据要求提供)
与上一代 HBM 解决方案相比,
HBM2E Flashbolt 在能效方面提高了约 18%,
并增加了约 1K 的电源凸块。
这确保了更安全的电力供应,
消耗更少的能源。

※ 来源于三星电子数据表(可根据要求提供)
与上一代 HBM 解决方案相比,
HBM2E Flashbolt 在能效方面提高了约 18%,
并增加了约 1K 的电源凸块。
这确保了更安全的电力供应,
消耗更少的能源。

※ 来源于三星电子数据表(可根据要求提供)
An illustrative image of Samsung HBM2E Flashbolt offer higher performance using less power.

片内集成纠错功能(On Die ECC)
提供更高可靠性
片内集成纠错功能(On Die ECC)
提供更高可靠性
片内集成纠错功能(On Die ECC)
提供更高可靠性

HBM2E Flashbolt 通过 On Die ECC 解决方案提供高可靠性和稳定性。
ODECC 支持内部错误的自我校正,以增强损坏数据的恢复,
并降低刷新频率。
单比特错误也同样减少,实现了数据可靠性的整体提升。
HBM2E Flashbolt 通过 On Die ECC 解决方案提供高可靠性和稳定性。
ODECC 支持内部错误的自我校正,以增强损坏数据的恢复,
并降低刷新频率。
单比特错误也同样减少,实现了数据可靠性的整体提升。
HBM2E Flashbolt 通过 On Die ECC 解决方案提供高可靠性和稳定性。
ODECC 支持内部错误的自我校正,以增强损坏数据的恢复,
并降低刷新频率。
单比特错误也同样减少,实现了数据可靠性的整体提升。
An illustrative image of Samsung HBM2E Flashbolt provides high reliability and stability with On Die ECC solution.
条结果
所有产品

所有产品规格均基于内部测试结果,可能因用户系统配置不同而有所差异。

呈现的所有产品图片仅用于展示之目的,与实际产品不一定完全一致。

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HBM2E Flashbolt的应用